製品情報 高周波IC

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NEW 10MHz~11GHz、3dB BW、ADCドライバ・アンプ 『TRF1208』 テキサス・インスツルメンツ(TI)
10MHz~11GHz、3dB BW、ADCドライバ・アンプ 『TRF1208』

■RFサンプリングまたはGSPSのADCを直接駆動 ■シングルエンドから差動への変換においてADCドライバとして優れた性能 ■差動からシングルエンドへのモードでも動作し、DACバッファとして動作 ■11GHz、3dB帯域幅 ■8GHz、1dBゲイン平坦性 ■シングルエンドから差動への固定電力ゲイン:16dB ■3.3V単一電源動作 ■動作電流:138mA ■省スペースのWQFN-FCRLFパッケージ

【低損失 RF CMOS DPDTスイッチ】LTE、5G等のアプリケーションに最適 インフィニオン テクノロジーズ
【低損失 RF CMOS DPDTスイッチ】LTE、5G等のアプリケーションに最適

BGSX22G6U10 RF CMOSスイッチは、GSM、WCDMA、LTEおよび5Gアプリケーション向けに特化して設計されています。 【主な特長】●最大39dBmの高い直線性 ●サイズ:1.1mm x 1.5mm ●低消費電流、最低電源電圧1.6V ●最大7.125GHzの高いポート間絶縁と挿入損失の大幅低 ●5G-SRSアプリケーション向けの高速スイッチング ●GPIO制御インターフェース ●RoHSおよびWEEE対応パッケージ ●超薄型鉛フリープラスチックパッケージ (MSL-1、260°C IPC/JEDEC J-STD-20)

超広帯域対応!SPDTスイッチ NJG1801BKGC-A 日清紡マイクロデバイス
超広帯域対応!SPDTスイッチ NJG1801BKGC-A

●広帯域動作  0.3 ~ 8.5GHzという広い周波数範囲内において  挿入損失:0.35 ~ 0.6dB / アイソレーション:18 ~ 28dB ●車載向け0.5mmピンピッチかつウェッタブルフランクパッケージ ●広動作温度範囲 (-40 to 125℃)、車載適合規格 ●切替電圧:3.0 V typ. ●低消費電流:5.0 μA typ. ●主な用途:車載向けRKE用途、BLE・UWB用途、WLAN用途、その他汎用切替用途

業界トップレベル※の超低消費電流SPDTスイッチ NJG1816K75 日清紡マイクロデバイス
業界トップレベル※の超低消費電流SPDTスイッチ NJG1816K75

●業界トップレベルの超低消費電流:0.1µA typ. 2021.06 当社調べ ●1.6Vからの広い切替電圧:1.6V to 4.0V ●小型パッケージ:DFN6-75 (1.0mm x 1.0mm) ●低挿入損失:0.45dB typ. @f=920MHz ●高アイソレーション:30dB typ. @f=920MHz ●0.1dB圧縮時入力電力:+30dBm typ. @f=920MHz ●主な用途:アンテナ切替、経路切替およびその他汎用用途、LPWA用途 (Sigfox、LoRaWAN、Wi-SUN)

1.8V低動作電圧対応 汎用SPDTスイッチ NJG1818K75 日清紡マイクロデバイス
1.8V低動作電圧対応 汎用SPDTスイッチ NJG1818K75

●1.8Vの低動作電圧対応、且つ6GHz帯において、業界トップレベル※の低損失特性 ●1.6V~5.0Vの広い動作電圧範囲への対応 ●外付けキャパシタの内蔵及び小型パッケージへの搭載 ●動作電流:15 µA typ. @ 1.8 V ●切替電圧:1.8V typ. (1.35V to 5.0V) ●主な用途:802.11a/ b/ n/ ac/ axなど無線通信システム、通信モジュール、アクセスポイント及びスマートフォンなどモバイル端末、送受信、アンテナの切替及びその他の汎用切替用途 2021.07 当社調べ

10W 大電力 SPDTスイッチ NJG1817ME4 日清紡マイクロデバイス
10W 大電力 SPDTスイッチ NJG1817ME4

●低挿入損失:2G~6GHzの帯域において0.35~0.45dB ●5G通信に最適な高速切替特性:150 ns typ. ●小型薄型パッケージ:EQEN12-E4 (2.0mm x 2.0mm x 0.397mm typ.) ●主な用途:5G(Sub-6)基地局システム、業務用無線通信端末、送信と受信の切替/アンテナ切替/PA出力切替、 及びその他汎用用途

『CN0534』 出力電力保護機能付きUSB給電5.8GHz RF LNAレシーバー アナログ・デバイセズ
『CN0534』 出力電力保護機能付きUSB給電5.8GHz RF LNAレシーバー

USBで動く5.8GHz RF LNA レシーバーレファレンスキット。 ■23.5dBゲイン ■5.8GHz最適化LNA ■ISMバンド対応 ■USB電源

『HMC1126』 GaAs pHEMT パワー・アンプ、2GHz~50GHz アナログ・デバイセズ
『HMC1126』 GaAs pHEMT パワー・アンプ、2GHz~50GHz

HMC1126は、ガリウム・ヒ素(GaAs)、擬似格子整合型高電子移動度転送(pHEMT)、モノリシック・マイクロ波集積回路(MMIC)の分布型パワー・アンプで、動作範囲は2GHz~50GHz です。 ■1dB圧縮ポイント(P1dB)の出力電力: 17.5dB ■飽和出力電力(PSAT): 21dBm ■ゲイン: 11dB ■出力3次インターセプト・ポイント(IP3): 28dBm ■電源電圧: 5V/65mA ■ダイ・サイズ: 2.3 mm x 1.45 mm x 0.05 mm

『ADMV4540』 フラクショナルN PLLおよびVCO内蔵 Kバンド直交復調器 アナログ・デバイセズ
『ADMV4540』 フラクショナルN PLLおよびVCO内蔵 Kバンド直交復調器

ADMV4540は、高集積直交復調器で、シンセサイザを内蔵しており、次世代のKバンド衛星通信に最適です。 ■低位相ノイズのVCOを備えたフラクショナルNシンセサイザ ■4線式SPIを介してプログラム可能 ■RF動作周波数範囲:17GHz~22GHz ■LO内部周波数範囲:17GHz~21.5GHz ■両側波帯ノイズ指数:5dB(最大変換ゲイン時) ■出力積分位相ノイズ1kHz~10MHz:<1° ■最大変換ゲイン>50dB ■変換ゲイン制御範囲>50dB

広帯域特性を持つ低雑音増幅器(LNA) アスニクス
広帯域特性を持つ低雑音増幅器(LNA)

BeRex社の広帯域LNA(BLシリーズ)は、温度特性補償された独自のバイアス回路を用いることで、温度や電圧変化に対する消費電流の変動が少ないデバイスを実現しています。その為、幅広いアプリケーションでご利用頂けます。 その他、ハイパワー増幅器/RFスイッチ/ミキサー/パワーデバイダについてもお取り扱いしております。 <仕様例> 周波数:5~6000MHz NF:0.3~1.5dB 電圧:3.0~5.0V

【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B to B)の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

高周波ICのクリックランキング 2022年5月 BEST10

順位 企業名 クリック割合
1 日清紡マイクロデバイス 20.0%
2 インフィニオン テクノロジーズ 11.0%
3 アナログ・デバイセズ 10.0%
4 旭化成エレクトロニクス 9.0%
5 東芝デバイス&ストレージ 6.0%
6 マイクロチップ 4.0%
6 パナソニック インダストリー 4.0%
6 ラピステクノロジー 4.0%
6 STマイクロエレクトロニクス 4.0%
6 アナログ・デバイセズ(マキシム・ジャパン) 4.0%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。