製品情報 高周波 IC　メーカー31社の製品一覧

ADMV85051 は、動作周波数をデジタルで選択可能な RF バンド・パス・フィルタです。フィルタの中心周波数（fCENTER）は、特許取得済みのキャリブレーション技術を組み込んだ8ビット値（256ステート）を使用して、225MHzから520MHzまで調整できます。大型のスイッチド・フィルターやディスクリートのチューナブル・フィルターからの置き換えが可能で、高度な通信アプリケーションにおいてダイナミックに調整が可能です。

広帯域、小型フォーム・ファクタのベクトル・ネットワーク・アナライザ・フロントエンドで、抵抗双方向ブリッジ、ダウンコンバージョン・ミキサ、プログラマブルIFアンプ／フィルタ、柔軟性の高い局部発振器（LO）インタフェースで構成されています。ブリッジは17GHzまで14dB以上の指向性を提供する。RFINからRFOUTへの一次伝送ラインは50Ωに広帯域整合され、低周波数での損失はわずか1.1dB、20GHzでは1.8dBに増加する。

時分割複信（TDD）アプリケーション用に設計された統合型RFフロント・エンド・マルチチップ・モジュールです。このデバイスは3.1GHz～4.2GHzの範囲で動作します。LNAと高出力シリコンSPDTスイッチを備えた構成となっています。 3.6GHzの受信動作において、LNAは、1.3dBの低ノイズ指数（NF）と35.5dBの高ゲイン、−4dBmの3次入力インターセプト・ポイント（IIP3）を備えています。

ADL8106 は、ガリウムヒ素（GaAs）、擬似高電子移動度移動（pHEMT）、モノリシックマイクロ波集積回路（MMIC）、20 GHz～54 GHz で動作する広帯域低雑音増幅器です。 30GHz～44GHzにおいて、利得21.5dB、1dB圧縮時の出力電力（OP1dB）14dBm、標準出力3次インターセプト（OIP3）21.5dBmを提供します。 ■電源電圧：3V/120mA ■50Ωに整合した入出力 ■15mm x 15mm、24リードLGAパッケージ

ADL8142は､ガリウムヒ素(GaAs)､モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)､擬似高電子移動度トランジスタ(pHEMT)､低雑音広帯域アンプで､23GHzから31GHzで動作します。また､ADL8142は､入力と出力がAC結合され内部で50Ωに整合されているため､大容量のマイクロ波無線アプリケーションに理想的な製品となっています。 ■27dBゲインと1.6dBの低雑音指数 ■2Vの電源電圧で25mAの低消費電力 ■2mm×2mmの小型パッケージ

HMC1126は、ガリウム・ヒ素（GaAs）、擬似格子整合型高電子移動度転送（pHEMT）、モノリシック・マイクロ波集積回路（MMIC）の分布型パワー・アンプで、動作範囲は2GHz～50GHz です。 ■1dB圧縮ポイント（P1dB）の出力電力: 17.5dB ■飽和出力電力（PSAT）: 21dBm ■ゲイン: 11dB ■出力3次インターセプト・ポイント（IP3）: 28dBm ■電源電圧: 5V/65mA ■ダイ・サイズ: 2.3 mm x 1.45 mm x 0.05 mm

BeRex社の広帯域LNA（BLシリーズ）は、温度特性補償された独自のバイアス回路を用いることで、温度や電圧変化に対する消費電流の変動が少ないデバイスを実現しています。その為、幅広いアプリケーションでご利用頂けます。 その他、ハイパワー増幅器/RFスイッチ/ミキサー/パワーデバイダについてもお取り扱いしております。 ＜仕様例＞ 周波数：5～6000MHz　NF：0.3～1.5ｄB　電圧：3.0～5.0V