製品情報 ゲートドライバ IC　メーカー30社の製品一覧

■用途はブラッシュレスDCモータ・モジュールなど ■65V三相ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ ■統合された電流センサアンプ ■スピードループ精度：＜3% ■最大100KHzのPWM周波数をサポート ■独立したドライバシャットダウンパス（DRVOFF） ■5.00 mm × 4.00 mmのVQFNパッケージ（36ピン）

■用途はEV および HEV トラクション・インバータなど ■ドライブ強度をプログラム可能なデュアル出力の分割ドライバ ■内部および外部電源の低電圧および過電圧保護 ■ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能 ■高度なVCE/VDSクランプ回路 ■SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能 ■10.5mm × 7.5mmのSSOPパッケージ（32ピン）

■用途はEV 用トラクション・インバータなど ■5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ ■高速過電流保護、270ns の応答時間 ■±10A の駆動能力と分割出力 ■最高出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V ■動作時の接合部温度：-40℃～150℃ ■10.3mm × 7.5mmのSOICパッケージ（16ピン）

■用途はオンボードバッテリチャージャなど ■AEC-Q100適合：温度グレード1など ■ジャンクション温度範囲：-40～+150℃ ■VDD出力ドライブ供給：最大25V ■スイッチングパラメータ：伝搬遅延33ns ■すべての電力供給にUVLO保護 ■コモンモード過渡耐圧（CMTI）：125V/ns超 ■12.83 mm × 7.50 mmのSSOP（36ピン）

■用途はEV向けトラクション・インバータなど ■絶縁型シングルチャネル・ゲート・ドライバ ■AEC-Q100適合、温度グレード0：-40℃～+150℃ ■先進的な保護機能：高速過電流、短絡回路検知など ■最大2121VpkのSiC MOSFETとIGBT ■10.3mm×7.5mmのSOIC-16パッケージ

■用途は産業用モーター制御駆動、産業用電源など ■強化絶縁定格：5kVRMS ■ピーク出力電流：3A ■ハイサイドとローサイドのパワーFETを駆動 ■接合部温度：－40℃～＋130℃ ■最小CMTI：100kV/μs ■出力ドライバ電源電圧：13.2V～33V ■最大伝搬遅延：115ns ■最大部品間遅延マッチング：25ns ■絶縁バリア寿命：40年超 ■7.5 x 4.68mmの6ピンSOICパッケージ

LT8418 は100VハーフブリッジGaNドライバで、上下ドライバステージ、ドライバロジック制御、保護機能を集積しています。同期ハーフブリッジ、フルブリッジトポロジ、または降圧、昇圧、降圧-昇圧を構成できます。0.6Ωのプルアップ抵抗と0.2Ωのプルダウン抵抗により、強力な電流ソース/シンク機能を提供します。また、最小ドロップアウト電圧でV_CCからバランスの取れたブートストラップ電圧を生成するスイッチを内蔵しています。

MAX22701Eはシングルチャネル絶縁型ゲートドライバで、300kV/µs (typ)という超高コモンモード過渡耐性(CMTI)を備えています。 ◆最小パルス幅：20ns ◆伝播遅延：35ns (室温) ◆デバイス間伝播遅延マッチング：2ns (室温) ◆絶縁耐圧：3kV_RMS (60秒) ◆連続耐圧：848V_RMS ◆高精度UVLO ◆8ピンナローボディSOICパッケージ(3.90mm x 4.90mm)

実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICのラインアップを追加しました。 【TCK42xGシリーズ】 ●チャージポンプ回路内蔵 ●入力電圧に応じたゲート・ソース電圧設定 (5.6V、10V) ●過電圧保護：5V～24Vに対応 ●低入力オフ電流 : I_Q(OFF)=0.5μA (max) @V_IN=5V ●パッケージ：実装面積1.2mm × 0.8mmのWCSP6Gを採用

【TCK401G】　世界最小クラスのNch MOSFETドライバーIC。 外付けMOSFET(SSM6K513NU)を用いて極小面積で超低RONの電源スイッチを実現。 ■入力電圧範囲: 2.7 ～ 28 V (最大定格 40V) ■チャージポンプ回路/突入電流抑制回路/過電圧保護回路内蔵 ■超小型パッケージ：WCSP6E (1.2 x 0.8 x 0.55mm) ※本製品を使用したリファレンスデザイン”MOSFETドライバーIC TCK401G応用と回路 ”もご用意。

SiC MOSFETを駆動するために欠かせない機能を実装した、CoolSiC^TMMOSFETに最適なゲートドライバICのラインナップ。 ■負のゲート電圧駆動 ■高い同相過渡除去特性（CMTI） ■アクティブミラークランプ ■DESAT保護機能　他

EiceDRIVER^TMの中でも耐久性が高く高性能な絶縁型ゲートドライバICのラインナップ。 ■MOSFET、 IGBTに加えSiC MOSFET、GaN HEMTにも利用可能　 ■最大10Aのゲート駆動電流で優れた効率 ■負ゲート電圧対応 ■2段階ターンオフ、ソフトターンオフ対応 ■高精度な入力フィルタ、同相過電圧耐性100kV/µs、 　アクティブミラークランプ、短絡保護、DESAT保護など

EiceDRIVER^TMファミリーから、1200クラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。 ■過電流保護（OCP）、非飽和（DESAT）、低電圧ロックアウト（UVLO）などの保護機能 ■ハイサイド/ローサイド/ハーフブリッジ/三相など様々な構成 ■ステータス表示、イネーブル、シャットダウンの機能も利用可能

EiceDRIVER^TMファミリーから、500V～700Vクラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。 ■過電流保護（OCP）、非飽和（DESAT）、低電圧ロックアウ（UVLO）などの保護機能 ■ハイサイド/ローサイド/ハーフブリッジ/三相など様々な構成 ■ステータス表示、イネーブル、シャットダウンの機能も利用可能

EiceDRIVER^TMファミリーから、200Vクラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。 ■低電圧（24V/36V/48V）および中耐圧（60V/80V/100V/120V）のモータ制御アプリケーション向け ■ハーフブリッジ/ハイサイド/ローサイドなど様々な構成

200V～1200Vまでの幅広い電圧レベルの製品を取り揃えた、インフィニオンのゲートドライバIC「EiceDRIVER^TM」ファミリー。 ■シングル・ハイサイド・ローサイドから、ハーフブリッジ、三相までのあらゆるトポロジーに対応 ■ガルバニック絶縁内蔵品や、SiC、GaNデバイスに対応可能なラインナップも提供