製品情報 ゲートドライバ IC

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ゲートドライバ ICとは

ゲートドライバ ICとは、MOSFETやIGBT、SiCデバイスなどのスイッチング素子を駆動する半導体集積回路。MOSFETで大電流のスイッチングを行なう場合、低損失かつ高速動作をさせるためには論理信号の入力だけでは無理で、ゲート駆動のための回路を複数の素子で組む必要がある。また、高電圧のスイッチングであれば絶縁も必要となる。こうしたゲートを駆動するために必要な回路をまとめて一体化した半導体集積回路である。

車載、機能安全準拠、15A絶縁型IGBT/SiC MOSFETゲート・ドライバ 『UCC5870-Q1』 テキサス・インスツルメンツ(TI)
車載、機能安全準拠、15A絶縁型IGBT/SiC MOSFETゲート・ドライバ 『UCC5870-Q1』

■用途はHEV/EVトラクション・インバータ/パワー・モジュールなど ■シャント抵抗ベースの過電流保護、NTCベースの過温度保護、 DESAT検出などのパワー・トランジスタ保護機能 ■4Aアクティブ・ミラー・クランプ、アクティブ・ゲート・プルダウン内蔵 ■ASIL D準拠システムの設計を容易にする診断/検出機能 ■12.8 x 7.5mmの36ピンSSOPパッケージ

車載、高集積マルチチャネル・ゲート・ドライバ 『DRV8718-Q1』 テキサス・インスツルメンツ(TI)
車載、高集積マルチチャネル・ゲート・ドライバ 『DRV8718-Q1』

■AEC-Q100認証済み:温度グレード1(周囲温度:-40℃~+125℃) ■複数のモーターや負荷の駆動に最適 ■8個のハーフブリッジ・ゲートドライバ搭載 ■スマート・マルチステージ・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ ■2個のワイド・コモンモード電流シャント・アンプ ■インターフェイス・オプション:SPIまたはH/W ■8mm角の56ピンVQFNパッケージ

フォトカプラ互換、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ 『UCC23513』 テキサス・インスツルメンツ(TI)
フォトカプラ互換、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ 『UCC23513』

■用途は産業用モーター制御駆動、産業用電源など ■強化絶縁定格:5kVRMS ■ピーク出力電流:3A ■ハイサイドとローサイドのパワーFETを駆動 ■接合部温度:-40℃~+130℃ ■最小CMTI:100kV/μs ■出力ドライバ電源電圧:13.2V~33V ■最大伝搬遅延:115ns ■最大部品間遅延マッチング:25ns ■絶縁バリア寿命:40年超 ■7.5 x 4.68mmの6ピンSOICパッケージ

「EiceDRIVERTM」SiC MOSFET向けゲートドライバ IC インフィニオン テクノロジーズ
「EiceDRIVER<sup>TM</sup>」SiC MOSFET向けゲートドライバ IC

SiC MOSFETを駆動するために欠かせない機能を実装した、CoolSiCTMMOSFETに最適なゲートドライバICのラインナップ。 ■負のゲート電圧駆動 ■高い同相過渡除去特性(CMTI) ■アクティブミラークランプ ■DESAT保護機能 他

「EiceDRIVERTM」ガルバニック絶縁内蔵ゲートドライバIC インフィニオン テクノロジーズ
「EiceDRIVER<sup>TM</sup>」ガルバニック絶縁内蔵ゲートドライバIC

EiceDRIVERTMの中でも耐久性が高く高性能な絶縁型ゲートドライバICのラインナップ。 ■MOSFET、 IGBTに加えSiC MOSFET、GaN HEMTにも利用可能  ■最大10Aのゲート駆動電流で優れた効率 ■負ゲート電圧対応 ■2段階ターンオフ、ソフトターンオフ対応 ■高精度な入力フィルタ、同相過電圧耐性100kV/µs、  アクティブミラークランプ、短絡保護、DESAT保護など

「EiceDRIVERTM」1200V レベルシフト ゲートドライバIC インフィニオン テクノロジーズ
「EiceDRIVER<sup>TM</sup>」1200V レベルシフト ゲートドライバIC

EiceDRIVERTMファミリーから、1200クラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。 ■過電流保護(OCP)、非飽和(DESAT)、低電圧ロックアウト(UVLO)などの保護機能 ■ハイサイド/ローサイド/ハーフブリッジ/三相など様々な構成 ■ステータス表示、イネーブル、シャットダウンの機能も利用可能

「EiceDRIVERTM」500V~700V レベルシフト ゲートドライバIC インフィニオン テクノロジーズ
「EiceDRIVER<sup>TM</sup>」500V~700V レベルシフト ゲートドライバIC

EiceDRIVERTMファミリーから、500V~700Vクラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。 ■過電流保護(OCP)、非飽和(DESAT)、低電圧ロックアウ(UVLO)などの保護機能 ■ハイサイド/ローサイド/ハーフブリッジ/三相など様々な構成 ■ステータス表示、イネーブル、シャットダウンの機能も利用可能

「EiceDRIVERTM」200V レベルシフト ゲートドライバIC インフィニオン テクノロジーズ
「EiceDRIVER<sup>TM</sup>」200V レベルシフト ゲートドライバIC

EiceDRIVERTMファミリーから、200Vクラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。 ■低電圧(24V/36V/48V)および中耐圧(60V/80V/100V/120V)のモータ制御アプリケーション向け ■ハーフブリッジ/ハイサイド/ローサイドなど様々な構成

産業用ゲートドライバIC「EiceDRIVERTM」ファミリー インフィニオン テクノロジーズ
産業用ゲートドライバIC「EiceDRIVER<sup>TM</sup>」ファミリー

200V~1200Vまでの幅広い電圧レベルの製品を取り揃えた、インフィニオンのゲートドライバIC「EiceDRIVERTM」ファミリー。 ■シングル・ハイサイド・ローサイドから、ハーフブリッジ、三相までのあらゆるトポロジーに対応 ■ガルバニック絶縁内蔵品や、SiC、GaNデバイスに対応可能なラインナップも提供

【ゲートドライバ】強化絶縁を有するアナログおよびデジタルドライバファミリー インフィニオン テクノロジーズ
【ゲートドライバ】強化絶縁を有するアナログおよびデジタルドライバファミリー

ゲートドライバシリーズであるX3 Compact (1ED31xx) ファミリーに、VDE 0884-11に準拠した強化絶縁タイプの製品が拡充されました!【主な特長】VDE 0884-11に準拠した強化絶縁 ●IGBT(IGBT7含む)、SiC、Si MOSFET用 ●出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ●90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ●40Vの絶対最大出力電源電圧 ●ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブ ミラークランプ ●沿面距離が長い(>8mm) ●DSO-8 300milワイドボディパッケージ

最大28V入力、Nch MOSFETゲートドライバーIC 東芝デバイス&ストレージ
最大28V入力、Nch MOSFETゲートドライバーIC

【TCK401G】 世界最小クラスのNch MOSFETドライバーIC。 外付けMOSFET(SSM6K513NU)を用いて極小面積で超低RONの電源スイッチを実現。 ■入力電圧範囲: 2.7 ~ 28 V (最大定格 40V) ■チャージポンプ回路/突入電流抑制回路/過電圧保護回路内蔵 ■超小型パッケージ:WCSP6E (1.2 x 0.8 x 0.55mm) ※本製品を使用したリファレンスデザイン”MOSFETドライバーIC TCK401G応用と回路 ”もご用意。

高CMTIの内蔵絶縁によってSiCゲートドライバの堅牢性を向上 アナログ・デバイセズ(マキシム・ジャパン)
高CMTIの内蔵絶縁によってSiCゲートドライバの堅牢性を向上

MAX22701Eはシングルチャネル絶縁型ゲートドライバで、300kV/µs (typ)という超高コモンモード過渡耐性(CMTI)を備えています。 ◆最小パルス幅:20ns ◆伝播遅延:35ns (室温) ◆デバイス間伝播遅延マッチング:2ns (室温) ◆絶縁耐圧:3kVRMS (60秒) ◆連続耐圧:848VRMS ◆高精度UVLO ◆8ピンナローボディSOICパッケージ(3.90mm x 4.90mm)

【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B to B)の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

ゲートドライバ ICのクリックランキング 2022年6月 BEST10

順位 企業名 クリック割合
1 インフィニオン テクノロジーズ 12.9%
2 テキサス・インスツルメンツ(TI) 12.5%
3 東芝デバイス&ストレージ 9.0%
4 日清紡マイクロデバイス 5.9%
5 アナログ・デバイセズ 5.5%
6 ローム 5.2%
7 STマイクロエレクトロニクス 4.8%
8 ルネサス エレクトロニクス 4.6%
9 新電元工業 4.4%
10 オンセミ 3.7%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。