■用途はHEV/EVトラクション・インバータ/パワー・モジュールなど ■シャント抵抗ベースの過電流保護、NTCベースの過温度保護、 DESAT検出などのパワー・トランジスタ保護機能 ■4Aアクティブ・ミラー・クランプ、アクティブ・ゲート・プルダウン内蔵 ■ASIL D準拠システムの設計を容易にする診断/検出機能 ■12.8 x 7.5mmの36ピンSSOPパッケージ

■AEC-Q100認証済み：温度グレード1（周囲温度：-40℃～＋125℃） ■複数のモーターや負荷の駆動に最適 ■8個のハーフブリッジ・ゲートドライバ搭載 ■スマート・マルチステージ・ゲート・ドライブ・アーキテクチャ ■2個のワイド・コモンモード電流シャント・アンプ ■インターフェイス・オプション：SPIまたはH/W ■8mm角の56ピンVQFNパッケージ

■用途は産業用モーター制御駆動、産業用電源など ■強化絶縁定格：5kVRMS ■ピーク出力電流：3A ■ハイサイドとローサイドのパワーFETを駆動 ■接合部温度：－40℃～＋130℃ ■最小CMTI：100kV/μs ■出力ドライバ電源電圧：13.2V～33V ■最大伝搬遅延：115ns ■最大部品間遅延マッチング：25ns ■絶縁バリア寿命：40年超 ■7.5 x 4.68mmの6ピンSOICパッケージ

■トラクション・インバータ、オンボード・チャージャ、通信機器向け電源、 　産業用モーター駆動などに最適 ■最大1700VのSiC MOSFETやIGBTに対応 ■内蔵のバッファとセンサが温度、電流、電圧を正確に検知 ■最大動作電圧：1.5kVRMS ■最大サージ耐性：12.8kVPK ■絶縁バリア寿命：40年超 ■高い駆動電流とCMTI ■動作電圧範囲：－40℃～＋125℃ ■16ピンのSOICパッケージ

■AEC-Q100準拠予定 ■トラクション・インバータ、オンボード・ チャージャ、通信機器向け電源、産業用モーター駆動などに最適 ■最大1700VのSiC MOSFETやIGBTに対応 ■内蔵のバッファとセンサが温度、電流、電圧を正確に検知 ■最大動作電圧：1.5kVRMS ■最大サージ耐性：12.8kVPK ■絶縁バリア寿命：40年超 ■高い駆動電流とCMTI ■低い部品間スキュー ■16ピンのSOICパッケージ

ゲートドライバシリーズであるX3 Compact (1ED31xx) ファミリーに、VDE 0884-11に準拠した強化絶縁タイプの製品が拡充されました！【主な特長】VDE 0884-11に準拠した強化絶縁 ●IGBT（IGBT7含む）、SiC、Si MOSFET用 ●出力電流14A、伝播遅延マッチング7ns ●90nsの伝播遅延、入力フィルタで30ns ●40Vの絶対最大出力電源電圧 ●ソース出力とシンク出力の分離またはアクティブ ミラークランプ ●沿面距離が長い（＞8mm） ●DSO-8 300milワイドボディパッケージ

「デュアルパワーMOSFET用高速ドライバ OptiMOS^TM PX3517 & PX3519」 通信事業者等のPOL（ポイント オブ ロード）電源などのアプリケーションで、ハイサイドおよびローサイドのNチャネルパワーMOSFETを駆動可能です。(ゲート駆動電圧を4.5V～8Vの範囲内で調整可能) 「OptiMOS^TMドライバ PX3515 & PX3516」 最高の効率で大電流DC-DC変換を行うための高速インテリジェントゲートドライバを実現する、先進のスマートパワーICテクノロジーです。

インフィニオンは、絶縁ゲートドライバ、レベルシフトゲートドライバ、非絶縁ローサイドゲートドライバなど、500種類以上のEiceDRIVER^TM ゲートドライバソリューションを提供し、幅広いパワー半導体トポロジー、電力変換トポロジーの設計要件に対応しています。

【CoolSiC^TMMOSFETに最適なゲートドライバIC】 優れた伝搬遅延マッチング、正確な入力フィルタ、広い出力側供給範囲、負のゲート電圧駆動能力、高い同相過渡除去特性（CMTI）、アクティブミラークランプ、DESAT保護機能など、SiC MOSFETを駆動するうえで重要な機能やパラメータを実装しています。

MOSFET、IGBT、IGBTモジュール、SiC MOSFET、およびGaN HEMT用。 耐久性が高く、強力な高性能シングルチャネルおよびデュアルチャネル、絶縁ゲートドライバです。 最大10Aのゲート駆動電流で、優れたパワースイッチ効率を実現します。 短絡保護、高精度な入力フィルタ、100 kV/μsの高い同相過渡電圧耐性、アクティブミラークランプ、DESAT保護、広い出力側電源電圧範囲、負のゲート電圧対応、ソフトターンオフ、2段階ターンオフなど、幅広い機能を提供します。

インフィニオンは、500Vから700Vの機能絶縁が必要なアプリケーション向けに、業界トップレベルのレベルシフトゲートドライバIC製品をご提供しています。 インフィニオンのゲートドライバICは、3相、ハーフブリッジ、ハイサイドやローサイドなど様々な構成で、過電流保護(OCP)や非飽和(DESAT)、低電圧ロックアウト(UVLO)などの保護機能を備えています。 ステータス表示(障害)、イネーブル機能、シャットダウン機能もご利用いただけます。

インフィニオンは、1200Vの機能絶縁が必要なアプリケーション向けに、業界トップレベルのレベルシフトゲートドライバIC製品をご提供しています。 インフィニオンのゲートドライバICは、3相、ハーフブリッジ、ハイサイドやローサイドなど様々な構成で、過電流保護(OCP)や非飽和(DESAT)、低電圧ロックアウト(UVLO)などの保護機能を備えています。 ステータス表示(障害)、イネーブル機能、シャットダウン機能もご利用いただけます。

インフィニオンは、200Vレベルシフトゲートドライバの包括的なラインナップを取り揃えており、低電圧（24V、36V、48V）および中電圧（60V、80V、100V、120V)のモータ制御アプリケーション向けの3相、ハーフブリッジ、ハイサイドおよびローサイドドライバを提供しております。

シングル・ハイサイドから、ハーフブリッジ、3相まであらゆるトポロジーに対応。 インフィニオンの産業用ゲートドライバIC は、1チャネルハイサイドおよび1チャネルローサイドドライバから、3相レベルシフトドライバおよび電流検出 ICまで幅広い品揃えをご用意。

【TCK401G】　世界最小クラスのNch MOSFETドライバーIC。 外付けMOSFET(SSM6K513NU)を用いて極小面積で超低RONの電源スイッチを実現。 ■入力電圧範囲: 2.7 ～ 28 V (最大定格 40V) ■チャージポンプ回路/突入電流抑制回路/過電圧保護回路内蔵 ■超小型パッケージ：WCSP6E (1.2 x 0.8 x 0.55mm) ※本製品を使用したリファレンスデザイン”MOSFETドライバーIC TCK401G応用と回路 ”もご用意。

MAX22701Eはシングルチャネル絶縁型ゲートドライバで、300kV/µs (typ)という超高コモンモード過渡耐性(CMTI)を備えています。 ◆最小パルス幅：20ns ◆伝播遅延：35ns (室温) ◆デバイス間伝播遅延マッチング：2ns (室温) ◆絶縁耐圧：3kV_RMS (60秒) ◆連続耐圧：848V_RMS ◆高精度UVLO ◆8ピンナローボディSOICパッケージ(3.90mm x 4.90mm)