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ゲートドライバ ICとは、MOSFETやIGBT、SiCデバイスなどのスイッチング素子を駆動する半導体集積回路。MOSFETで大電流のスイッチングを行なう場合、低損失かつ高速動作をさせるためには論理信号の入力だけでは無理で、ゲート駆動のための回路を複数の素子で組む必要がある。また、高電圧のスイッチングであれば絶縁も必要となる。こうしたゲートを駆動するために必要な回路をまとめて一体化した半導体集積回路である。
LT8418 は100VハーフブリッジGaNドライバで、上下ドライバステージ、ドライバロジック制御、保護機能を集積しています。同期ハーフブリッジ、フルブリッジトポロジ、または降圧、昇圧、降圧-昇圧を構成できます。0.6Ωのプルアップ抵抗と0.2Ωのプルダウン抵抗により、強力な電流ソース/シンク機能を提供します。また、最小ドロップアウト電圧でVCCからバランスの取れたブートストラップ電圧を生成するスイッチを内蔵しています。
MAX22701Eはシングルチャネル絶縁型ゲートドライバで、300kV/µs (typ)という超高コモンモード過渡耐性(CMTI)を備えています。 ◆最小パルス幅：20ns ◆伝播遅延：35ns (室温) ◆デバイス間伝播遅延マッチング：2ns (室温) ◆絶縁耐圧：3kVRMS (60秒) ◆連続耐圧：848VRMS ◆高精度UVLO ◆8ピンナローボディSOICパッケージ(3.90mm x 4.90mm)
「TB9084FTG」は、車載ボディー系アプリケーションや電動ポンプ、モータージェネレーターなどを駆動する3相ブラシレスDCモーターに向けたゲートドライバーICです。外付け製品 (MOSFET、電源IC、マイクロコントローラー、通信PHY) を組み合わせることで、さまざまな車載モーターアプリケーションに対応できます。 エンジニアリングサンプルを提供しています。
「TB67Z8xxxFTG」の8品種は、民生/産業用機器向けの3相ブラシレスDCモーター用のゲートドライバーICです。 モーター制御用マイコンとMOSFETを組み合わせることで、電動工具、掃除機、産業用ロボットなど幅広いアプリケーションに対応した3相ブラシレスDCモーターの駆動が可能で、トータルソリューションを提供できます。
実装面積の削減に貢献するMOSFETゲートドライバーICのラインアップを追加しました。 【TCK42xGシリーズ】 ●チャージポンプ回路内蔵 ●入力電圧に応じたゲート・ソース電圧設定 (5.6V、10V) ●過電圧保護：5V～24Vに対応 ●低入力オフ電流 : IQ(OFF)=0.5μA (max) @VIN=5V ●パッケージ：実装面積1.2mm × 0.8mmのWCSP6Gを採用
【TCK401G】 世界最小クラスのNch MOSFETドライバーIC。 外付けMOSFET(SSM6K513NU)を用いて極小面積で超低RONの電源スイッチを実現。 ■入力電圧範囲: 2.7 ～ 28 V (最大定格 40V) ■チャージポンプ回路/突入電流抑制回路/過電圧保護回路内蔵 ■超小型パッケージ：WCSP6E (1.2 x 0.8 x 0.55mm) ※本製品を使用したリファレンスデザイン”MOSFETドライバーIC TCK401G応用と回路 ”もご用意。
EiceDRIVERTM 1EDI3050ASは、インフィニオンのコアレストランス技術を使用して電気的に絶縁されたIGBT/SiC-MOSFET用のドライバー ●最大1200 VのIGBT/SiC-MOSFET用 ●幅広い仕様調整範囲と容易なプラットフォーム開発 ●最高のシステム効率をサポート ●外部絶縁電源の削減 ●機能安全機能とISO26262準拠により、システムレベルのASIL-D対応が可能 ●容易なFMEDA解析
SiC MOSFETを駆動するために欠かせない機能を実装した、CoolSiCTMMOSFETに最適なゲートドライバICのラインナップ。 ■負のゲート電圧駆動 ■高い同相過渡除去特性（CMTI） ■アクティブミラークランプ ■DESAT保護機能 他
EiceDRIVERTMの中でも耐久性が高く高性能な絶縁型ゲートドライバICのラインナップ。 ■MOSFET、 IGBTに加えSiC MOSFET、GaN HEMTにも利用可能 ■最大10Aのゲート駆動電流で優れた効率 ■負ゲート電圧対応 ■2段階ターンオフ、ソフトターンオフ対応 ■高精度な入力フィルタ、同相過電圧耐性100kV/µs、 アクティブミラークランプ、短絡保護、DESAT保護など
EiceDRIVERTMファミリーから、1200クラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。 ■過電流保護（OCP）、非飽和（DESAT）、低電圧ロックアウト（UVLO）などの保護機能 ■ハイサイド/ローサイド/ハーフブリッジ/三相など様々な構成 ■ステータス表示、イネーブル、シャットダウンの機能も利用可能
EiceDRIVERTMファミリーから、500V～700Vクラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。 ■過電流保護（OCP）、非飽和（DESAT）、低電圧ロックアウ（UVLO）などの保護機能 ■ハイサイド/ローサイド/ハーフブリッジ/三相など様々な構成 ■ステータス表示、イネーブル、シャットダウンの機能も利用可能
EiceDRIVERTMファミリーから、200Vクラス レベルシフトゲートドライバICのラインナップ。 ■低電圧（24V/36V/48V）および中耐圧（60V/80V/100V/120V）のモータ制御アプリケーション向け ■ハーフブリッジ/ハイサイド/ローサイドなど様々な構成
200V～1200Vまでの幅広い電圧レベルの製品を取り揃えた、インフィニオンのゲートドライバIC「EiceDRIVERTM」ファミリー。 ■シングル・ハイサイド・ローサイドから、ハーフブリッジ、三相までのあらゆるトポロジーに対応 ■ガルバニック絶縁内蔵品や、SiC、GaNデバイスに対応可能なラインナップも提供
ハイサイドFETドライバーは、通常のPチャネルMOSFETではなくNチャネルMOSFETの使用を容易にする
Rad hard製品
ハーフブリッジ、フルブリッジ、ローサイド、同期降圧MOSFETドライバ
IPM駆動用、IGBT駆動用
ゲートドライバ、ハーフ/フルブリッジドライバ、昇圧内蔵フルブリッジドライバ
ブートストラップ方式を用いてNch MOSFETやIBGTを駆動させることが可能な600V耐圧のハイサイド/ローサイドのゲートドライバ
伝播遅延が少なく、パルス幅歪みが少ないパワースイッチングICを最適に駆動。
GaN、MOS、SiC 用の絶縁ゲート ドライバー
IGBT Drivers, MOSFET Drivers, Galvanic Isolated Drivers, SiC MOSFET Drivers, GaN Drivers, Opto Isolated Drivers
MOSFET、SiC-MOSFET、IGBTパワーデバイスを 駆動
For automotive DC applications
CMT SERIES (-55°C TO 125°C/175°C), CHT SERIES (-55°C TO 225°C)
8-Channel Parallel High Voltage Driver、8-Bit HV Parallel Driver IC、32-Channel High Voltage Driver
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 東芝デバイス＆ストレージ | 13.5% |
| 2 | アナログ・デバイセズ | 12.2% |
| 3 | インフィニオン テクノロジーズ | 9.6% |
| 4 | ルネサス エレクトロニクス | 7.1% |
| 5 | 日清紡マイクロデバイス | 5.8% |
| 6 | サンケン電気 | 4.5% |
| 7 | テキサス・インスツルメンツ(TI) | 3.8% |
| 7 | マイクロチップ | 3.8% |
| 7 | Diodes | 3.8% |
| 10 | 新電元工業 | 3.2% |
| 10 | ローム | 3.2% |
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