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小信号ショットキーダイオードとは、半導体と金属を接合した半導体整流素子。ショットキーダイオードはショットキーバリアダイオード、SBD(Schottky Barrier Diode)ともいう。半導体と金属を接合すると、界面にショットキーバリア(障壁)が生じて整流作用を示す現象を利用したダイオードである。順方向の電圧降下が低く、回復時間が著しく小さい。超高速スイッチングが可能で、高速動作が必要な場面で使われる。
高画素化が進むイメージセンサ搭載アプリケーションの保護に最適です。 ●過酷な環境下 (VF:Ta=-40℃、IR:Ta=125℃)においても、 低VF<300mV(IF =7.5mA)と低IR<20mA(VR =3V)を両立 ●電源オフ時の光起電圧による回路破壊や動作時の熱暴走リスクを低減 ●実装性と省スペース性を両立した小型フラットリードタイプパッケージ採用 ●用途例:ADASカメラ、スマートインターホン、防犯用カメラ、ホームIoTデバイスなど
設計課題に合わせ特性を選択できる超低VFタイプと低IRタイプをラインアップ ●超低VFタイプ RB521SM-xxシリーズ:損失を低減し、発熱抑制と高効率化を実現 ●低IRタイプ RB520SM-xxシリーズ : 熱暴走を防ぎ、高温下での安定駆動を支援 ●使いやすい小型モールドタイプパッケージ(1.6 ×0.8 mm)を採用 ●用途例:小型機器、携帯機器など。安定生産・安定供給を実施し、産業機器などライフサイクルの長いアプリケーションにも最適
低VF・低IR・高ESD 強度を合せ持ったダイオード
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B to B)の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | オンセミ | 12.5% |
| 2 | Taiwan Semiconductor | 10.4% |
| 3 | Vishay | 8.3% |
| 3 | Diodes | 8.3% |
| 5 | STマイクロエレクトロニクス | 6.3% |
| 5 | Micro Commercial Components (MCC) | 6.3% |
| 5 | Nexperia | 6.3% |
| 8 | 東芝デバイス&ストレージ | 4.2% |
| 8 | Mospec Semiconductor | 4.2% |
| 8 | Central Semiconductor | 4.2% |
| 8 | PANJIT | 4.2% |
| 8 | Continental Device India (CDIL) | 4.2% |
| 8 | AiT Semiconductor | 4.2% |
| 8 | Cystech Electronics | 4.2% |
※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。