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ガンダイオードとは、ガン効果を利用したダイオード。通常のダイオードはn型とp型半導体を組み合わせた構造だが、ガンダイオードはn型ガリウムひ素（GaAs）のみで構成される。ガン効果とは、n型ガリウムひ素のように負性抵抗特性の半導体に、高いバイアス電圧を印可することで高周波帯域での振動が起きる現象。1963年に物理学者J,B.Gunnにより、この効果が発見された。マイクロ波発振素子として、レーダーや速度測定器に使われる。
Anode Heatsink、Cathode Heatsink
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