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パワーツェナーとは、印加した逆バイアス電圧が降伏電圧（ツェナー電圧）を越えると電流が急激に増加して降伏電圧が一定に保たれるp-n接合型半導体素子であるツェナーダイオードの中で、比較的大きな許容損失を持つダイオード。許容損失は概ね1W以上。スナバ回路、サージ吸収、定電圧制御などに使用される。サージ耐量の高いものはサージ吸収用として、TVS（Transient Voltage Suppressor）ダイオードと呼ばれる。
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | オンセミ | 30.0% |
| 2 | Vishay | 21.7% |
| 3 | マイクロチップ | 13.3% |
| 4 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology | 11.7% |
| 5 | PANJIT | 6.7% |
| 6 | Sensitron Semiconductor | 5.0% |
| 6 | Lision Technology | 5.0% |
| 8 | NTE Electronics | 3.3% |
| 8 | Cystech Electronics | 3.3% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。