急速充電などに代表される将来にわたる技術要求に応えるため、低オン抵抗特性にすぐれた専用微細プロセスを開発し、SSM6N951Lに採用しました。業界トップクラスの低オン抵抗特性による低電力損失に加えて、低いゲートからの漏れ電流(低ゲート・ソース間漏れ電流)特性による低待機電力化を両立することで、バッテリーの長時間動作に貢献します。さらに、超小型かつ薄型のChip scale package を用いることで、電池パックに必要となる薄型で限られた実装エリアにも使用可能です。

【SSM6J808R】　－40V耐圧PchMOSFET オン抵抗：48 mΩ (max) @V_GS=－4.5 V 【SSM6K819R】100 V耐圧NchMOSFET オン抵抗：36.4 mΩ (max) @V_GS=4.5 V ■用途：車載ヘッドランプなどの点灯制御用スイッチ ■TSOP6Fパッケージ(SOP-8と比べて実装面積約70 %削減) ■AEC-Q101適合

【SSM6K819R】 コストと高い耐圧の両立が必要なDC-DCコンバーター/電源スイッチ、 48V/60Vなどの高電圧の電源ラインに最適。 ■小型パッケージ2.9x2.8mmで100Vの高い耐圧を確保 ■VDSS：100V ■ID：10A ■RDS(ON)：25.8mΩ@4.5V ■2.9x2.8mm 6ピン リードパッケージ