日本最大の電子・産業部品ポータルサイト indexPro
indexPro のご利用にあたって
2022年4月より、利用規約を制定しています。詳細は indexPro 利用規約 をご確認ください。
また本ウェブサイトでは、利用者の個人情報について法令およびその他の規範を遵守し利用者の個人情報の保護に努めております。
利用にあたりIPアドレス、またはセッションIDを取得することがありますが、これらは匿名化した上で統計利用しています。
詳細につきましてはこちらをご覧頂ください。
小信号 MOSFETとは、電流を電界（電圧）によって制御する電界効果トランジスタ（FET：Field Effect Transistor）の一種で、シリコンの酸化絶縁膜でゲートを浮かせている素子。MOSFETは、Metal Oxide Semiconductor FETの省略名。MOS-FETと表記することもある。バイポーラトランジスタに比べると、MOSFETはリーク電流や静電気に対して脆弱なため、取り扱いには注意を要す。小電力の信号回路に使われるのが小信号MOSFET。
急速充電などに代表される将来にわたる技術要求に応えるため、低オン抵抗特性にすぐれた専用微細プロセスを開発し、SSM6N951Lに採用しました。業界トップクラスの低オン抵抗特性による低電力損失に加えて、低いゲートからの漏れ電流(低ゲート・ソース間漏れ電流)特性による低待機電力化を両立することで、バッテリーの長時間動作に貢献します。さらに、超小型かつ薄型のChip scale package を用いることで、電池パックに必要となる薄型で限られた実装エリアにも使用可能です。
【SSM6J808R】 －40V耐圧PchMOSFET オン抵抗：48 mΩ (max) @VGS=－4.5 V 【SSM6K819R】100 V耐圧NchMOSFET オン抵抗：36.4 mΩ (max) @VGS=4.5 V ■用途：車載ヘッドランプなどの点灯制御用スイッチ ■TSOP6Fパッケージ(SOP-8と比べて実装面積約70 %削減) ■AEC-Q101適合
エンハンスメントモードNチャンネルMOSFET、エンハンスメントモード P チャネル MOSFET、デプリーションモード N チャネル MOSFET、NチャネルエンハンスメントモードMOSFETアレイ、相補型 MOSFET アレイ、耐放射線MOSFET
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 東芝デバイス＆ストレージ | 10.8% |
| 2 | ローム | 9.7% |
| 3 | イサハヤ電子 | 8.6% |
| 3 | Diodes | 8.6% |
| 5 | Nexperia | 7.5% |
| 6 | Goodwork Semiconductor | 5.9% |
| 7 | マイクロチップ | 5.4% |
| 8 | KEC | 4.8% |
| 8 | PANJIT | 4.8% |
| 10 | インフィニオン テクノロジーズ | 4.3% |
| 10 | Good-Ark | 4.3% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。