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小信号 MOS FET
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産業市場用小信号/小型パワーMOSFET インフィニオン テクノロジーズ
産業市場用小信号/小型パワーMOSFET

本製品は、ロジックおよびノーマルレベルのゲート駆動能力を持ち、幅広いRDS(on)オプションを備えています。【主な特長】小型アウトラインパッケージ ●ノーマルレベルおよびロジックレベルのゲートドライブが可能 ●エンハンスメントモードとデプレッションモードのNチャネルオプション ●RoHS対応、ハロゲンフリー ●高速スイッチング ●高いアバランシェ耐量 ●JEDEC産業用アプリケーション規格準拠

バッテリーの長時間動作に貢献する小型・低オン抵抗のドレインコモンMOSFET 東芝デバイス&ストレージ
バッテリーの長時間動作に貢献する小型・低オン抵抗のドレインコモンMOSFET

急速充電などに代表される将来にわたる技術要求に応えるため、低オン抵抗特性にすぐれた専用微細プロセスを開発し、SSM6N951Lに採用しました。業界トップクラスの低オン抵抗特性による低電力損失に加えて、低いゲートからの漏れ電流(低ゲート・ソース間漏れ電流)特性による低待機電力化を両立することで、バッテリーの長時間動作に貢献します。さらに、超小型かつ薄型のChip scale package を用いることで、電池パックに必要となる薄型で限られた実装エリアにも使用可能です。

低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFET 東芝デバイス&ストレージ
低オン抵抗で低消費電力を実現できる車載機器向け小型MOSFET

【SSM6J808R】 -40V耐圧PchMOSFET オン抵抗:48 mΩ (max) @VGS=-4.5 V 【SSM6K819R】100 V耐圧NchMOSFET オン抵抗:36.4 mΩ (max) @VGS=4.5 V ■用途:車載ヘッドランプなどの点灯制御用スイッチ ■TSOP6Fパッケージ(SOP-8と比べて実装面積約70 %削減) ■AEC-Q101適合

小型で高耐圧を実現した100V/10A小型Nch FET 東芝デバイス&ストレージ
小型で高耐圧を実現した100V/10A小型Nch

【SSM6K819R】 コストと高い耐圧の両立が必要なDC-DCコンバーター/電源スイッチ、 48V/60Vなどの高電圧の電源ラインに最適。 ■小型パッケージ2.9x2.8mmで100Vの高い耐圧を確保 ■VDSS:100V ■ID:10A ■RDS(ON):25.8mΩ@4.5V ■2.9x2.8mm 6ピン リードパッケージ

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2021年9月のクリックランキング (Best 10)

順位 企業名 クリック割合
1 東芝デバイス&ストレージ 18.3%
2 ローム 15.8%
3 パナソニック インダストリアルソリューションズ社 10.3%
4 イサハヤ電子 9.0%
5 KEC 7.1%
6 Lite-On Semiconductor 6.4%
7 Diodes 5.8%
8 インフィニオン テクノロジーズ 4.5%
9 Microsemi 4.2%
9 Nexperia 4.2%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数
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