製品情報 SiC ショットキーバリアダイオード

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SiC ショットキーバリアダイオードとは

SiC ショットキーバリアダイオードとは、シリコンカーバイド(SiC、炭化ケイ素)を用いて作ったショットキ―バリアダイオード(SBD)。シリコン(Si)と比べてシリコンカーバイド(SiC)は、高い絶縁破壊電界強度、高いバンドギャップ、熱伝導率の良好な半導体材料。そのためSiCショットキ―バリアダイオードは、高速性がありながら高耐圧であり、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用される。

「世界最小クラス※」と高放熱の両立を実現したSiC-SBD 日清紡マイクロデバイス
「世界最小クラス※」と高放熱の両立を実現したSiC-SBD

【製品名:NDCD10A065DPA(旧:NJDCD010A065AA3PS)】 ●世界最小クラス※:4.6 x 6.5 x 1.1 mm ●高放熱 ●最大定格:650V/10A ●銅クリップパッケージを採用 ●基板レイアウトや筐体サイズの最適化が可能 ●アプリケーションの更なる高効率化・小型軽量化・省資源化に貢献 ※10A定格品にて 2021.12 当社調べ

電源PFCの省電力・高効率化に貢献する650 V/12 AのSiC SBD 東芝デバイス&ストレージ
電源PFCの省電力・高効率化に貢献する650 V/12 AのSiC SBD

TRS12A65F/TRS12E65Fは第2世代の改良型JBS 構造を使用しています。最大97Aの高い非繰り返しピーク順電流と標準1.45Vの低い順方向電圧、性能指数 (VF・Qcj) を第1世代と比べて約67%に低減し、改善したことで破壊しにくく低損失の特性を実現しました。SiC SBDは、Si FRDと比べて高耐圧・低損失のため、同一サイズのパッケージでも、より高電圧・大電流の動作ができます。低損失化によって発熱が減るため、機器の高効率化や放熱設計に余裕ができます。

電源PFCの高効率化に貢献する650 V SiC SBDのラインアップ拡充 東芝デバイス&ストレージ
電源PFCの高効率化に貢献する650 V SiC SBDのラインアップ拡充

電源PFCの高効率化が可能な新素材シリコンカーバイド (SiC) を用いた650Vショットキーバリアダイオード (SBD) TRS12N65FB、TRS16N65FB、TRS20N65FB、TRS24N65FBです。TO-247パッケージを採用し、直流順電流定格 は12A、16A、20A、24Aの製品で機器の大電力化に対応します。当社旧世代品と比べ、非繰り返しピーク順電流定格 を約53 %改善、標準順電圧 (Per Leg) を約6%低減しています。

【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B to B)の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

SiC ショットキーバリアダイオードのクリックランキング 2022年6月 BEST10

順位 企業名 クリック割合
1 インフィニオン テクノロジーズ 19.2%
2 東芝デバイス&ストレージ 17.3%
3 サンケン電気 12.5%
4 富士電機 8.7%
4 三菱電機 半導体・デバイス 8.7%
4 ローム 8.7%
7 オンセミ 6.7%
7 STマイクロエレクトロニクス 6.7%
9 マイクロチップ 4.8%
10 Wolfspeed 1.9%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。