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TRS12A65F/TRS12E65Fは第2世代の改良型JBS 構造を使用しています。最大97Aの高い非繰り返しピーク順電流と標準1.45Vの低い順方向電圧、性能指数 (VF・Qcj) を第1世代と比べて約67%に低減し、改善したことで破壊しにくく低損失の特性を実現しました。SiC SBDは、Si FRDと比べて高耐圧・低損失のため、同一サイズのパッケージでも、より高電圧・大電流の動作ができます。低損失化によって発熱が減るため、機器の高効率化や放熱設計に余裕ができます。
電源PFCの高効率化が可能な新素材シリコンカーバイド (SiC) を用いた650Vショットキーバリアダイオード (SBD) TRS12N65FB、TRS16N65FB、TRS20N65FB、TRS24N65FBです。TO-247パッケージを採用し、直流順電流定格 は12A、16A、20A、24Aの製品で機器の大電力化に対応します。当社旧世代品と比べ、非繰り返しピーク順電流定格 を約53 %改善、標準順電圧 (Per Leg) を約6%低減しています。
【製品名：NJDCD010A065AA3PS】 ●世界最小クラス※：4.0 x 6.5 x 0.9 mm ●高放熱：Rthjc＝2.1℃/W typ. ●最大定格：650V/10A ●銅クリップパッケージを採用 ●基板レイアウトや筐体サイズの最適化が可能 ●アプリケーションの更なる高効率化・小型軽量化・省資源化に貢献 ※2021.03 当社調べ
CoolSiC(TM) ショットキーダイオード
SiCショットキーバリアパワーディスクリートダイオード
(-55°C TO 225°C)
【ご注意】
ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 東芝デバイス＆ストレージ | 21.2% |
| 2 | インフィニオン テクノロジーズ | 12.9% |
| 2 | ローム | 12.9% |
| 4 | ルネサス エレクトロニクス | 8.2% |
| 5 | オンセミ | 7.1% |
| 5 | 富士電機 | 7.1% |
| 5 | 三菱電機 半導体・デバイス | 7.1% |
| 8 | マイクロチップ | 5.9% |
| 9 | STマイクロエレクトロニクス | 4.7% |
| 10 | Lite-On Semiconductor | 3.5% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数
このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。