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SiC ショットキーバリアダイオードとは、シリコンカーバイド（SiC、炭化ケイ素)を用いて作ったショットキ―バリアダイオード（SBD）。シリコン（Si）と比べてシリコンカーバイド（SiC）は、高い絶縁破壊電界強度、高いバンドギャップ、熱伝導率の良好な半導体材料。そのためSiCショットキ―バリアダイオードは、高速性がありながら高耐圧であり、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用される。
新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー(JBS)構造を最適化しています。これにより、低い順方向電圧1.2V(typ.) を実現しました。また、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しており、損失を低減し機器の高効率化に貢献します。
TRS12A65F/TRS12E65Fは第2世代の改良型JBS 構造を使用しています。最大97Aの高い非繰り返しピーク順電流と標準1.45Vの低い順方向電圧、性能指数 (VF・Qcj) を第1世代と比べて約67%に低減し、改善したことで破壊しにくく低損失の特性を実現しました。SiC SBDは、Si FRDと比べて高耐圧・低損失のため、同一サイズのパッケージでも、より高電圧・大電流の動作ができます。低損失化によって発熱が減るため、機器の高効率化や放熱設計に余裕ができます。
電源PFCの高効率化が可能な新素材シリコンカーバイド (SiC) を用いた650Vショットキーバリアダイオード (SBD) TRS12N65FB、TRS16N65FB、TRS20N65FB、TRS24N65FBです。TO-247パッケージを採用し、直流順電流定格 は12A、16A、20A、24Aの製品で機器の大電力化に対応します。当社旧世代品と比べ、非繰り返しピーク順電流定格 を約53 %改善、標準順電圧 (Per Leg) を約6%低減しています。
CoolSiC(TM) ショットキーダイオード
シリコンバイポーラダイオードと比べて逆回復がごくわずかなため、スイッチングロスが少なく、システムの効率が劇的に向上
(-55°C TO 225°C)
高いスイッチング周波数と電力密度の高い設計に対して、低い順方向降下とゼロ逆回復性能
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| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | インフィニオン テクノロジーズ | 24.1% |
| 2 | ローム | 20.7% |
| 3 | 東芝デバイス＆ストレージ | 17.2% |
| 4 | STマイクロエレクトロニクス | 6.9% |
| 4 | 富士電機 | 6.9% |
| 6 | マイクロチップ | 3.4% |
| 6 | 三菱電機 半導体・デバイス | 3.4% |
| 6 | オンセミ | 3.4% |
| 6 | リテルヒューズ | 3.4% |
| 6 | PANJIT | 3.4% |
| 6 | Wolfspeed | 3.4% |
| 6 | Cissoid | 3.4% |
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