日本最大の電子・産業部品ポータルサイト indexPro
indexPro のご利用にあたって
2022年4月より、利用規約を制定しています。詳細は indexPro 利用規約 をご確認ください。
また本ウェブサイトでは、利用者の個人情報について法令およびその他の規範を遵守し利用者の個人情報の保護に努めております。
利用にあたりIPアドレス、またはセッションIDを取得することがありますが、これらは匿名化した上で統計利用しています。
詳細につきましてはこちらをご覧頂ください。
SiC ショットキーバリアダイオードとは、シリコンカーバイド（SiC、炭化ケイ素)を用いて作ったショットキ―バリアダイオード（SBD）。シリコン（Si）と比べてシリコンカーバイド（SiC）は、高い絶縁破壊電界強度、高いバンドギャップ、熱伝導率の良好な半導体材料。そのためSiCショットキ―バリアダイオードは、高速性がありながら高耐圧であり、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用される。
新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー(JBS)構造を最適化しています。これにより、低い順方向電圧1.2V(typ.) を実現しました。また、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しており、損失を低減し機器の高効率化に貢献します。
CoolSiC(TM) ショットキーダイオード
シリコンバイポーラダイオードと比べて逆回復がごくわずかなため、スイッチングロスが少なく、システムの効率が劇的に向上
高いスイッチング周波数と電力密度の高い設計に対して、低い順方向降下とゼロ逆回復性能
(-55°C TO 225°C)
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 富士電機 | 17.9% |
| 2 | ローム | 15.4% |
| 3 | インフィニオン テクノロジーズ | 12.8% |
| 4 | オンセミ | 10.3% |
| 5 | STマイクロエレクトロニクス | 7.7% |
| 5 | 東芝デバイス＆ストレージ | 7.7% |
| 7 | リテルヒューズ | 5.1% |
| 7 | Diodes | 5.1% |
| 7 | WeEn Semiconductors | 5.1% |
| 7 | Anbon Semiconductor | 5.1% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。