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SiC ショットキーバリアダイオードとは

SiC ショットキーバリアダイオードとは、シリコンカーバイド(SiC、炭化ケイ素)を用いて作ったショットキ―バリアダイオード(SBD)。シリコン(Si)と比べてシリコンカーバイド(SiC)は、高い絶縁破壊電界強度、高いバンドギャップ、熱伝導率の良好な半導体材料。そのためSiCショットキ―バリアダイオードは、高速性がありながら高耐圧であり、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用される。

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SiC ショットキーバリアダイオードのクリックランキング 2024年11月 BEST13

順位 企業名 クリック割合
1 東芝デバイス&ストレージ 19.1%
2 ローム 11.8%
2 オンセミ 11.8%
4 富士電機 8.8%
4 インフィニオン テクノロジーズ 8.8%
6 STマイクロエレクトロニクス 7.4%
6 リテルヒューズ 7.4%
8 Diodes 5.9%
9 Wolfspeed 4.4%
10 マイクロチップ 2.9%
10 三菱電機 半導体・デバイス 2.9%
10 Qorvo 2.9%
10 PANJIT 2.9%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。

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