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SiC ショットキーバリアダイオードとは、シリコンカーバイド（SiC、炭化ケイ素)を用いて作ったショットキ―バリアダイオード（SBD）。シリコン（Si）と比べてシリコンカーバイド（SiC）は、高い絶縁破壊電界強度、高いバンドギャップ、熱伝導率の良好な半導体材料。そのためSiCショットキ―バリアダイオードは、高速性がありながら高耐圧であり、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用される。
新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー(JBS)構造を最適化しています。これにより、低い順方向電圧1.2V(typ.) を実現しました。また、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しており、損失を低減し機器の高効率化に貢献します。
本1200V SiCショットキーダイオードは、MPS (Merged PIN Schottky) 構造を特長とし、高い順方向サージ電流耐量、低い順方向電圧降下、低リーク電流、および低静電容量により優れた性能を有しています。これらの特性は、高周波および高電圧アプリケーションにおける効率と堅牢性の向上に貢献します。 全デバイスはAEC-Q101認定済みで、最大ジャンクション温度175℃に対応し、EV急速充電、蓄電装置、産業用及び通信電源などの要求の厳しい環境で高い信頼性と熱安定性を確保します。
CoolSiC(TM) ショットキーダイオード
シリコンバイポーラダイオードと比べて逆回復がごくわずかなため、スイッチングロスが少なく、システムの効率が劇的に向上
高いスイッチング周波数と電力密度の高い設計に対して、低い順方向降下とゼロ逆回復性能
シングル構成とデュアル構成で650Vから1200Vまでの電圧範囲に対応
(-55°C TO 225°C)
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | マイクロチップ | 10.7% |
| 1 | 東芝デバイス＆ストレージ | 10.7% |
| 3 | 富士電機 | 8.9% |
| 3 | インフィニオン テクノロジーズ | 8.9% |
| 5 | ローム | 7.1% |
| 5 | Diodes | 7.1% |
| 5 | Taiwan Semiconductor | 7.1% |
| 5 | WeEn Semiconductors | 7.1% |
| 9 | オンセミ | 5.4% |
| 9 | リテルヒューズ | 5.4% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。