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SiC ショットキーバリアダイオードとは

SiC ショットキーバリアダイオードとは、シリコンカーバイド(SiC、炭化ケイ素)を用いて作ったショットキ―バリアダイオード(SBD)。シリコン(Si)と比べてシリコンカーバイド(SiC)は、高い絶縁破壊電界強度、高いバンドギャップ、熱伝導率の良好な半導体材料。そのためSiCショットキ―バリアダイオードは、高速性がありながら高耐圧であり、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用される。

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SiC ショットキーバリアダイオードのクリックランキング 2025年4月 BEST12

順位 企業名 クリック割合
1 インフィニオン テクノロジーズ 20.9%
1 東芝デバイス&ストレージ 20.9%
3 三菱電機 半導体・デバイス 14.0%
4 ローム 11.6%
5 マイクロチップ 7.0%
5 富士電機 7.0%
7 オンセミ 4.7%
7 Alpha & Omega Semiconductor 4.7%
9 STマイクロエレクトロニクス 2.3%
9 PANJIT 2.3%
9 Diodes 2.3%
9 Sensitron Semiconductor 2.3%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。

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