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SiC ショットキーバリアダイオードとは、シリコンカーバイド（SiC、炭化ケイ素)を用いて作ったショットキ―バリアダイオード（SBD）。シリコン（Si）と比べてシリコンカーバイド（SiC）は、高い絶縁破壊電界強度、高いバンドギャップ、熱伝導率の良好な半導体材料。そのためSiCショットキ―バリアダイオードは、高速性がありながら高耐圧であり、損失低減と小型化が可能なため高耐圧パワー用途に使用される。
新規のショットキーメタルを採用し、第2世代製品のジャンクションバリアショットキー(JBS)構造を最適化しています。これにより、低い順方向電圧1.2V(typ.) を実現しました。また、順方向電圧と総電荷量のトレードオフおよび順方向電圧と逆電流のトレードオフを改善しており、損失を低減し機器の高効率化に貢献します。
CoolSiC(TM) ショットキーダイオード
シリコンバイポーラダイオードと比べて逆回復がごくわずかなため、スイッチングロスが少なく、システムの効率が劇的に向上
高いスイッチング周波数と電力密度の高い設計に対して、低い順方向降下とゼロ逆回復性能
(-55°C TO 225°C)
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| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 東芝デバイス＆ストレージ | 13.4% |
| 2 | インフィニオン テクノロジーズ | 11.3% |
| 3 | ローム | 10.3% |
| 3 | Diodes | 10.3% |
| 5 | 富士電機 | 8.2% |
| 5 | オンセミ | 8.2% |
| 7 | STマイクロエレクトロニクス | 7.2% |
| 8 | マイクロチップ | 6.2% |
| 8 | 三菱電機 半導体・デバイス | 6.2% |
| 10 | リテルヒューズ | 4.1% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。