製品情報 SiC MOSFET　メーカー18社の製品一覧

スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの産業機器向けシリコンカーバイド（SiC）MOSFETです。小型表面実装パッケージTOLL採用で、機器の電力密度向上に貢献し、リード挿入型パッケージと比べて寄生インピーダンスが小さく、スイッチング損失を低減します。また、ケルビン接続可能な4端子タイプにより、パッケージ内部のソースワイヤのインダクタンスによる影響を抑え、高速スイッチングを実現します。

スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの産業用機器向けに、小型面実装パッケージDFN8×8に搭載した650V耐圧のシリコンカーバイド (SiC) MOSFETです。従来のリード挿入型パッケージと比べて体積を90％以上削減と寄生インピーダンス成分が低減、4端子タイプでケルビン接続を可能にし、機器の電力密度向上と高速スイッチングに貢献します。

新製品は、650V/1200V耐圧で、4端子タイプのTO-247-4L(X)パッケージを採用しています。4端子タイプのため、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続することができます。そのため、ソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減でき、スイッチング性能が向上しました。

第3世代SiC MOSFET 「TWxxxNxxxCシリーズ」として、TW015N120Cなど10品種（1200V/650V耐圧）をラインアップに追加。 　●SBD内蔵により、低VFと高信頼性を実現（第2世代SiC MOSFET技術を 　　踏襲) 　●オン抵抗とスイッチング損失を大幅に改善 　●耐ノイズ性が高く、使いやすい などの特長を備えています。

CoolSiC^TM MOSFET G2は、高性能を実現するトレンチ テクノロジーを採用した新しいSiC MOSFET ■高い電力変換効率と低損失 ■高速スイッチング能力と高温動作 ■業界最小のRDS(on)と幅広い製品ラインアップ ■独自の堅牢性と高信頼性 ■太陽光発電インバーター、蓄電システム、EV充電、産業用電源、モーター駆動製品などを高性能に ■G1より性能と価格力が飛躍的に向上 ■改良された.XT技術を搭載放熱性能の向上

TOパッケージおよびSMDパッケージを取り揃えた、インフィニオンのCoolSiC^TM MOSFETディスクリート製品のラインナップ。 ■クラス最低水準のスイッチング損失および導通損失 ■優れた短絡耐量およびアバランシェ耐量 ■LLCやZVSなどのハードおよび共振スイッチングトポロジーに最適 ■標準的なドライバで駆動可能