製品情報 SiC MOSFET

TOパッケージおよびSMDパッケージを取り揃えた、インフィニオンのCoolSiC^TM MOSFETディスクリート製品のラインナップ。 ■クラス最低水準のスイッチング損失および導通損失 ■優れた短絡耐量およびアバランシェ耐量 ■LLCやZVSなどのハードおよび共振スイッチングトポロジーに最適 ■標準的なドライバで駆動可能

新しいOptiMOS^TM 6 MOSFET 40Vファミリーは、ロジックレベルのゲート駆動を必要とするアプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供。オン抵抗の改善により、高効率な設計、熱設計も容易。 並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも貢献。 ■Nチャネル：エンハンスメントモード　 ■超低オン抵抗 RDS(on)　■優れた熱抵抗　■175℃定格　 ■100%アバランシェ試験済み　■ハロゲンフリー (IEC61249-2-21準拠)　 ■同期型アプリケーションに最適化

80Vおよび100Vにおける新しいOptiMOS^TM TOLTは、優れた熱性能を可能にする 新しいトップサイド冷却パッケージ。TOLT パッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、最適な熱性能を実現するトップ サイドクーリングの利点を備えています。 ■低RDS(on)　■高電流定格　 ■上面冷却　■ネガティブスタンドオフ　 ■伝導損失の低減　■高電流対応　■優れた熱性能　 ■ヒートシンクへの熱抵抗の最小化

TOLGはTOLxファミリーに新たに加わったパッケージ。TCoB(基板実装時の熱サイクル試験)に対し優れた性能を実現。TOLLパッケージ同様に、大電流対応の薄型パッケージ。TOLLとフットプリント互換性があり、さらにガルウィングリードの採用で高い温度サイクル耐量を実現。 ■最高クラスのテクノロジー　■高い電流定格　 ■D2PAK 7ピンパッケージに比べてボードサイズを60％低減　 ■ガルウィングリード　■高いシステム信頼性　■高効率及び低EMI　 ■高い電力密度　■優れたTCoB

【TW070J120B】は、SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第2世代チップデザインを採用し、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しています。また、ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したことで、電力損失を低減します。