●TOパッケージおよびSMDパッケージ ●低いデバイス容量 ●温度非依存のスイッチング損失 ●クラス最高のスイッチング損失と導通損失 ●IGBT互換の駆動（+18V） ●しきい値電圧Vth>4V ●高い短絡耐性とアバランシェ耐性 ●LLCやZVS等のハードおよび共振スイッチングトポロジに最適 ●標準的なドライバで駆動可能

【TW070J120B】は、SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第2世代チップデザインを採用し、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しています。また、ゲートしきい値電圧を4.2V～5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したことで、電力損失を低減します。