製品情報 SiC MOSFET　メーカー18社の製品一覧

スイッチング電源や太陽光発電用インバーターなどの産業用機器向けに、小型面実装パッケージDFN8×8に搭載した650V耐圧のシリコンカーバイド (SiC) MOSFETです。従来のリード挿入型パッケージと比べて体積を90％以上削減と寄生インピーダンス成分が低減、4端子タイプでケルビン接続を可能にし、機器の電力密度向上と高速スイッチングに貢献します。

新製品は、650V/1200V耐圧で、4端子タイプのTO-247-4L(X)パッケージを採用しています。4端子タイプのため、ゲートドライブ用の信号ソース端子をケルビン接続することができます。そのため、ソースワイヤのインダクタンスによるスイッチングへの影響を低減でき、スイッチング性能が向上しました。

第3世代SiC MOSFET 「TWxxxNxxxCシリーズ」として、TW015N120Cなど10品種（1200V/650V耐圧）をラインアップに追加。 　●SBD内蔵により、低VFと高信頼性を実現（第2世代SiC MOSFET技術を 　　踏襲) 　●オン抵抗とスイッチング損失を大幅に改善 　●耐ノイズ性が高く、使いやすい などの特長を備えています。

800Vのオンボードチャージャー/DC-DCアプリケーションに最適で、Q-DPAKパッケージを採用し優れた放熱性と容易な組み立てを実現 ●パッケージ寄生容量の低減により、スイッチング損失を低減 ●設計の簡素化により、システム コスト削減を実現 ●最適化されたプリント基板組み立てにより、容易な組み立てを実現 ●上面放熱 (TSC) 技術を活かした優れた放熱性を提供し、システムの信頼性を向上

CoolSiC^TM MOSFET G2は、高性能を実現するトレンチ テクノロジーを採用した新しいSiC MOSFET ■高い電力変換効率と低損失 ■高速スイッチング能力と高温動作 ■業界最小のRDS(on)と幅広い製品ラインアップ ■独自の堅牢性と高信頼性 ■太陽光発電インバーター、蓄電システム、EV充電、産業用電源、モーター駆動製品などを高性能に ■G1より性能と価格力が飛躍的に向上 ■改良された.XT技術を搭載放熱性能の向上

TOパッケージおよびSMDパッケージを取り揃えた、インフィニオンのCoolSiC^TM MOSFETディスクリート製品のラインナップ。 ■クラス最低水準のスイッチング損失および導通損失 ■優れた短絡耐量およびアバランシェ耐量 ■LLCやZVSなどのハードおよび共振スイッチングトポロジーに最適 ■標準的なドライバで駆動可能

新しいOptiMOS^TM 6 MOSFET 40Vファミリーは、ロジックレベルのゲート駆動を必要とするアプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供。オン抵抗の改善により、高効率な設計、熱設計も容易。 並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にも貢献。 ■Nチャネル：エンハンスメントモード　 ■超低オン抵抗 RDS(on)　■優れた熱抵抗　■175℃定格　 ■100%アバランシェ試験済み　■ハロゲンフリー (IEC61249-2-21準拠)　 ■同期型アプリケーションに最適化

80Vおよび100Vにおける新しいOptiMOS^TM TOLTは、優れた熱性能を可能にする 新しいトップサイド冷却パッケージ。TOLT パッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、最適な熱性能を実現するトップ サイドクーリングの利点を備えています。 ■低RDS(on)　■高電流定格　 ■上面冷却　■ネガティブスタンドオフ　 ■伝導損失の低減　■高電流対応　■優れた熱性能　 ■ヒートシンクへの熱抵抗の最小化

TOLGはTOLxファミリーに新たに加わったパッケージ。TCoB(基板実装時の熱サイクル試験)に対し優れた性能を実現。TOLLパッケージ同様に、大電流対応の薄型パッケージ。TOLLとフットプリント互換性があり、さらにガルウィングリードの採用で高い温度サイクル耐量を実現。 ■最高クラスのテクノロジー　■高い電流定格　 ■D2PAK 7ピンパッケージに比べてボードサイズを60％低減　 ■ガルウィングリード　■高いシステム信頼性　■高効率及び低EMI　 ■高い電力密度　■優れたTCoB