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SiC MOSFET
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SiC MOSFET ディスクリート650V/1200V/1700V インフィニオン テクノロジーズ
SiC

●TOパッケージおよびSMDパッケージ ●低いデバイス容量 ●温度非依存のスイッチング損失 ●クラス最高のスイッチング損失と導通損失 ●IGBT互換の駆動(+18V) ●しきい値電圧Vth>4V ●高い短絡耐性とアバランシェ耐性 ●LLCやZVS等のハードおよび共振スイッチングトポロジに最適 ●標準的なドライバで駆動可能

電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFET 東芝デバイス&ストレージ
電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFET

【TW070J120B】は、SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第2世代チップデザインを採用し、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しています。また、ゲートしきい値電圧を4.2V~5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したことで、電力損失を低減します。

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【ご注意】
ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B to B)の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

2021年5月のクリックランキング (Best 6)

順位 企業名 クリック割合
1 東芝デバイス&ストレージ 25.7%
2 ローム 21.0%
3 インフィニオン テクノロジーズ 17.1%
4 STマイクロエレクトロニクス 16.2%
5 United Silicon Carbide 11.4%
6 Wolfspeed 8.6%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数
このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。