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SiC MOSFET
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SuperSO8パッケージ ロジックレベルMOSFET 40V インフィニオン テクノロジーズ
SuperSO8パッケージ ロジックレベルMOSFET

インフィニオンの新しいOptiMOSTM 6 MOSFET 40Vファミリーは、ロジックレベルのゲート駆動を必要とするアプリケーションのベンチマークとなるソリューションを提供します。オン抵抗の改善により、高効率な設計、熱設計も容易になります。 並列接続の必要性を減らし、システムコストの削減にもつながります。 【主な特長・利点】●Nチャネル:エンハンスメントモード●超低オン抵抗 RDS(on)●優れた熱抵抗●175℃定格●100%アバランシェ試験済み●ハロゲンフリー (IEC61249-2-21準拠)●同期型アプリケーションに最適化

TOLTに搭載されたOptiMOSTM パワーMOSFET インフィニオン テクノロジーズ
TOLTに搭載されたOptiMOS<sup>TM</sup>

80Vおよび100Vにおけるインフィニオンの新しいOptiMOSTM TOLTは、優れた熱性能を可能にする 新しいトップサイド冷却パッケージです。TOLT パッケージは、TOLLパッケージと同様の大電流・低背の利点に加え、最適な熱性能を実現するトップ サイドクーリングの利点を備えています。 【主な特長・利点】●低RDS(on) ●高電流定格 ●上面冷却 ●ネガティブスタンドオフ ●伝導損失の低減 ●高電流対応 ●優れた熱性能 ●ヒートシンクへの熱抵抗の最小化

TOLGパッケージのOptiMOSTMパワーMOSFET インフィニオン テクノロジーズ
TOLGパッケージのOptiMOS<sup>TM</sup>パワーMOSFET

TOLGはTOLxファミリーに新たに加わったパッケージで、TCoB(Thermal Cycling on Board Performance:基板実装時の熱サイクル試験)に対し優れた性能を実現しています。TO-Leadless(TOLL)パッケージ同様に、大電流対応の薄型パッケージです。TOLGはTO-Leadlessとフットプリント互換性があり、さらにガルウィングリードの採用で高い温度サイクル耐量を実現しています。【主な特長・利点】●最高クラスのテクノロジー ●高い電流定格 ●D2PAK 7ピンパッケージに比べてボードサイズを60%低減 ●ガルウィングリード ●高いシステム信頼性 ●高効率及び低EMI ●高い電力密度 ●優れたTCoB

SiC MOSFET ディスクリート650V/1200V/1700V インフィニオン テクノロジーズ
SiC

●TOパッケージおよびSMDパッケージ ●低いデバイス容量 ●温度非依存のスイッチング損失 ●クラス最高のスイッチング損失と導通損失 ●IGBT互換の駆動(+18V) ●しきい値電圧Vth>4V ●高い短絡耐性とアバランシェ耐性 ●LLCやZVS等のハードおよび共振スイッチングトポロジに最適 ●標準的なドライバで駆動可能

電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFET 東芝デバイス&ストレージ
電源の高効率化に貢献する1200V耐圧シリコンカーバイドMOSFET

【TW070J120B】は、SiC MOSFETの信頼性を向上させる当社第2世代チップデザインを採用し、低入力容量、低ゲート入力電荷量、低ドレイン・ソース間オン抵抗を実現しています。また、ゲートしきい値電圧を4.2V~5.8Vと高く設定しており誤動作(誤点弧)しにくくなっています。さらに、順方向電圧が低いSiCショットキーバリアダイオード(SBD)を内蔵したことで、電力損失を低減します。

インフィニオン テクノロジーズ 代理店/取扱店情報
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2021年9月のクリックランキング (Best 9)

順位 企業名 クリック割合
1 インフィニオン テクノロジーズ 22.6%
2 東芝デバイス&ストレージ 17.0%
3 ローム 16.0%
4 STマイクロエレクトロニクス 10.4%
4 マイクロチップ 10.4%
6 オンセミ 8.5%
7 UnitedSiC 6.6%
8 Wolfspeed 5.7%
9 Cissoid 2.8%

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