日本最大の電子・産業部品ポータルサイト indexPro
indexPro のご利用にあたって
2022年4月より、利用規約を制定しています。詳細は indexPro 利用規約 をご確認ください。
また本ウェブサイトでは、利用者の個人情報について法令およびその他の規範を遵守し利用者の個人情報の保護に努めております。
利用にあたりIPアドレス、またはセッションIDを取得することがありますが、これらは匿名化した上で統計利用しています。
詳細につきましてはこちらをご覧頂ください。
SiC MOSFETパワーモジュールとは、単数または複数のシリコンカーバイド（SiC）MOSFETと一部の周縁部品を一体型とした複合部品。Si（シリコン）に比較してSiCは約10倍の絶縁破壊電界強度を持つため高耐圧であり、また空乏層を狭くできるのでON抵抗が小さい。また、IGBTに比べて高速スイッチングが可能。SiC MOSFETをモジュール化したことで出力容量が格段に大きくなり、高電圧・高電流のアプリケーションに適したデバイス。
HybridPACKTM Driveは、ハイブリッド車および電気自動車のトラクションアプリケーション向けに最適化されたコンパクトなパワーモジュールで、750Vと1200Vクラス内で100kW～250kWの電力拡張性を提供 ●クラス最高のSiおよびSiC技術 ●ベンチマーク性能と効率 ●業界標準のフットプリント ●拡張性と設計の容易さ、AQG324 車載用認定 G1の利点: クラス最高のEDT2チップセット G2の利点: 新しいベンチマークパフォーマンスと効率を備えたEDT3とCoolSiCTM G2チップセット
3レベル/ハーフブリッジ/4パック/6パック/ブースターなど様々なトポロジーを取り揃えた、インフィニオンのCoolSiCTM MOSFETモジュール製品のラインナップ。 ■Si IGBTと比べて高温動作および高スイッチング周波数 ■SiCデバイスに適した低インダクタンスパッケージ ■熱伝導材料（TIM）カスタム可能
●主な用途：DC/AC または DC/DC コンバータ、モータードライプ ●動作供給電圧：650V、連続出力電流：24A（Aグレードの場合32A） ●スイッチング周波数：1MHz ●低電圧ロックアウトとアクティブミラークランプを備えた統合型ゲート・ドライブ ●動作温度：-40℃～＋125℃ ●コンパクトな表面実装パッケージ（23.3mm×23.3mm）、トップサイトヒートシンク付き ●52 ピンQFP パッケージ
●主な用途： ・DC/ACコンバータ ・モーターコントロール ・パワーインバーター ・テスト機器 ●最大650V 電源電圧 ●各相30A連続出力電流、80Aピーク ●最大400kHz スイッチング周波数 ●デジタル制御ゲートドライブ内蔵 ●不足電圧ロックアウト ●16-pin Power DIP ●動作温度：-40℃～＋125℃
SiC MOSFETモジュールは、高速スイッチング性を有しており、電鉄用インバーター、コンバーター、太陽光インバーター等
２個組 1200V, 1700V クラス
SiC MOSFET搭載パワーモジュール
(-55°C/-40°C TO 175°C)
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | インフィニオン テクノロジーズ | 23.8% |
| 2 | 富士電機 | 19.0% |
| 3 | オンセミ | 9.5% |
| 4 | ローム | 4.8% |
| 4 | マイクロチップ | 4.8% |
| 4 | ミネベアパワーデバイス | 4.8% |
| 4 | 三菱電機 半導体・デバイス | 4.8% |
| 4 | SEMIKRON-Danfoss | 4.8% |
| 4 | Wolfspeed | 4.8% |
| 4 | Cissoid | 4.8% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。