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GaN パワーデバイスとは、窒化ガリウム（ガリウムナイトライド）を材料とする半導体。SiC（シリコンカーバイド）半導体と並ぶ化合物半導体である。絶縁破壊電界強度や電子の飽和速度が高く、ON抵抗は低く、熱に強く、放熱性も良い。スイッチングが速く、省電力であることから、GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）として高周波用途が先行していたが、コストの低下と製造技術の進歩から、一般パワーデバイス用途にも広がっている。
最高の効率と信頼性～新たなパワー・パラダイム～ ■シリコンを凌ぐ基本的な利点がある窒化ガリウム（GaN）。 ■特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性。 ■シリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適。
省エネ・小型化に寄与するGaNデバイスを「EcoGaN™シリーズ」としてラインアップ
CoolGaN(TM)
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| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | ローム | 31.6% |
| 2 | インフィニオン テクノロジーズ | 26.3% |
| 3 | STマイクロエレクトロニクス | 13.2% |
| 3 | ルネサス エレクトロニクス | 13.2% |
| 5 | テキサス・インスツルメンツ(TI) | 5.3% |
| 5 | HXI | 5.3% |
| 7 | Nexperia | 2.6% |
| 7 | Efficient Power Conversion (EPC) | 2.6% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。