日本最大の電子・産業部品ポータルサイト indexPro
indexPro のご利用にあたって
2022年4月より、利用規約を制定しています。詳細は indexPro 利用規約 をご確認ください。
また本ウェブサイトでは、利用者の個人情報について法令およびその他の規範を遵守し利用者の個人情報の保護に努めております。
利用にあたりIPアドレス、またはセッションIDを取得することがありますが、これらは匿名化した上で統計利用しています。
詳細につきましてはこちらをご覧頂ください。
GaN パワーデバイスとは、窒化ガリウム（ガリウムナイトライド）を材料とする半導体。SiC（シリコンカーバイド）半導体と並ぶ化合物半導体である。絶縁破壊電界強度や電子の飽和速度が高く、ON抵抗は低く、熱に強く、放熱性も良い。スイッチングが速く、省電力であることから、GaN HEMT（高電子移動度トランジスタ）として高周波用途が先行していたが、コストの低下と製造技術の進歩から、一般パワーデバイス用途にも広がっている。
最高の効率と信頼性～新たなパワー・パラダイム～ ■シリコンを凌ぐ基本的な利点がある窒化ガリウム（GaN）。 ■特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性。 ■シリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適。
CoolGaN(TM)
省エネ・小型化に寄与するGaNデバイスを「EcoGaN™シリーズ」としてラインアップ
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | ローム | 25.6% |
| 1 | インフィニオン テクノロジーズ | 25.6% |
| 3 | STマイクロエレクトロニクス | 20.5% |
| 4 | ルネサス エレクトロニクス | 12.8% |
| 5 | テキサス・インスツルメンツ(TI) | 7.7% |
| 6 | Efficient Power Conversion (EPC) | 5.1% |
| 7 | Nexperia | 2.6% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。