■100V/nsのスイッチングを可能にするゲート・ドライバ内蔵 ■用途は高集積産業/コンシューマ機器向け電源、産業用 モーター・ドライブ、高電圧バッテリ・チャージャなど ■カスコード接続/スタンドアローンGaN FETに比べ設計の簡素化、 信頼性向上、電源性能の最適化を実現 ■>150V/nsのスルーレート耐性、過渡電圧耐性、過温度保護、 UVLO保護などの堅牢な保護機能 ■8mm角の32ピンVQFNパッケージ

■用途は高密度の産業用および民生用電源、または産業用モーター・ドライブ ■カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現 ■スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能 ■応答時間 100ns 未満の過電流保護 ■スルーレートを25～100V/ns範囲でユーザー設定可能 ■レイアウトが容易な8 x 8mm 32ピンQFNパッケージ

【最高の効率と信頼性　-新たなパワー・パラダイム-】 窒化ガリウム（GaN）には、シリコンを凌ぐ基本的な利点があります。特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性です。またシリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適です。