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GaN パワーデバイス
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ドライバ/保護機能/温度レポート機能内蔵600V GaN FET 『LMG3422R050』 テキサス・インスツルメンツ(TI)
ドライバ/保護機能/温度レポート機能内蔵600V

■用途は高密度産業用電源、産業用モーター・ドライブなど ■JEDEC JEP180認証済み ■高精度ゲート・バイアス電圧により 高いスイッチングSOAを提供 ■CMTI:200V/ns ■スイッチング周波数:3.6MHz ■スルーレート:30V/ns~150V/ns ■サイクル・バイ・サイクル過電流/ラッチ短絡保護 ■720Vサージ耐圧 ■デジタル温度PWM出力 ■12mm角の54ピンVQFNパッケージ

過電流保護内蔵、600V、50mΩ集積型GaNパワー・ステージ 『LMG3410R050』 テキサス・インスツルメンツ(TI)
過電流保護内蔵、600V、50mΩ集積型GaNパワー・ステージ

■100V/nsのスイッチングを可能にするゲート・ドライバ内蔵 ■用途は高集積産業/コンシューマ機器向け電源、産業用 モーター・ドライブ、高電圧バッテリ・チャージャなど ■カスコード接続/スタンドアローンGaN FETに比べ設計の簡素化、 信頼性向上、電源性能の最適化を実現 ■>150V/nsのスルーレート耐性、過渡電圧耐性、過温度保護、 UVLO保護などの堅牢な保護機能 ■8mm角の32ピンVQFNパッケージ

600V 12A シングルチャネル GaN パワー・ステージ『LMG3410R150』 テキサス・インスツルメンツ(TI)
600V

■用途は高密度の産業用および民生用電源、または産業用モーター・ドライブ ■カスコードまたはスタンドアロンの GaN FET で優れたシステム性能を実現 ■スイッチング性能と EMI 制御のため駆動強度を変更可能 ■応答時間 100ns 未満の過電流保護 ■スルーレートを25~100V/ns範囲でユーザー設定可能 ■レイアウトが容易な8 x 8mm 32ピンQFNパッケージ

窒化ガリウム(GaN)  “CoolGaNTM インフィニオン テクノロジーズ
窒化ガリウム(GaN) 

【最高の効率と信頼性 -新たなパワー・パラダイム-】 窒化ガリウム(GaN)には、シリコンを凌ぐ基本的な利点があります。特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性です。またシリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適です。

テキサス・インスツルメンツ(TI) 代理店/取扱店情報
GaN(窒化ガリウム)デバイス
インフィニオン テクノロジーズ 代理店/取扱店情報
窒化ガリウム(GaN)デバイス

CoolGaN(TM)

パナソニック インダストリアルソリューションズ社 代理店/取扱店情報
GaNパワーデバイス
ルネサス エレクトロニクス 代理店/取扱店情報
Rad Hard GaN FET(耐放射線特性電源IC)
Transphorm 代理店/取扱店情報
GaN FET
GaN Systems 代理店/取扱店情報
GaN transistor
Nexperia 代理店/取扱店情報
GaN FETs

Efficient and effective high-power FETs

Efficient Power Conversion (EPC) 代理店/取扱店情報
GaN FET

【ご注意】
ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B to B)の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。

2021年5月のクリックランキング (Best 8)

順位 企業名 クリック割合
1 テキサス・インスツルメンツ(TI) 21.5%
2 インフィニオン テクノロジーズ 16.0%
3 パナソニック インダストリアルソリューションズ社 15.3%
4 Nexperia 11.8%
5 GaN Systems 10.4%
5 Transphorm 10.4%
7 ルネサス エレクトロニクス 8.3%
8 Efficient Power Conversion (EPC) 6.3%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数
このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。