製品情報 GaN パワーデバイス　メーカー8社の製品一覧

■用途は降圧、昇圧、昇降圧コンバータなど ■4.4mΩ の GaN FET とドライバを内蔵 ■電圧定格：連続 80V、パルス 100V ■3.3V、5V、12V の入力ロジック・レベルをサポート ■低リンギングで、高スルーレートのスイッチング ■ゲート・ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能 ■5.50mm × 4.50mm VQFN パッケージ (16ピン)

■用途はAC/DC アダプタおよびチャージャなど ■FLT ピン通知付きの過熱保護 ■伝搬遅延が小さい内蔵ゲート ドライバ ■広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション ■サイクル単位の過電流保護 ■AUX 静止電流：240μA ■8mm × 5.3mm VQFNパッケージ (38ピン)

■用途はAC/DC アダプタおよびチャージャなど ■FLT ピン通知付きの過熱保護 ■伝搬遅延が小さい内蔵ゲート ドライバ ■広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション ■サイクル単位の過電流保護 ■AUX 静止電流：240μA ■8mm × 5.3mm VQFNパッケージ (38ピン)

■用途はAC/DC アダプタおよびチャージャなど ■FLT ピン通知付きの過熱保護 ■伝搬遅延が小さい内蔵ゲート ドライバ ■広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション ■サイクル単位の過電流保護 ■AUX 静止電流：240μA ■8mm ×5.3mm QFNパッケージ

■用途はソーラー・インバータや産業用モーター・ドライブなど ■ハード・スイッチング・トポロジで JEDEC JEP180 認定 済み ■ゲート・ドライバ内蔵の 600-V GaN オン Si FET ■サイクル単位の過電流保護と応答時間 100ns 未満のラッチ付き短絡保護 ■ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V ■デジタル温度 PWM 出力 ■12.00mm × 12.00mmのVQFN パッケージ（54ピン）

■用途はオンボード充電器およびワイヤレス充電器など ■車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み ■7.5V～18V 電源で動作 ■デジタル温度 PWM 出力 ■ハード・スイッチング中のサージ耐性：720V ■接合部温度：-40℃～+150℃ ■12mm × 12mm の VQFN パッケージ（52ピン）

■用途はスイッチ・モード・パワー・コンバータなど ■ゲート・ドライバ内蔵の650-V GaNオンSi FET ■20V/ns～150V/nsのスルーレート制御可能 ■高度な電源管理：デジタル温度PWM出力 ■過電流保護とラッチ付き短絡保護（応答時間100ns未満） ■12mm x 12mmの52ピンVQFNパッケージ

最高の効率と信頼性～新たなパワー・パラダイム～ ■シリコンを凌ぐ基本的な利点がある窒化ガリウム（GaN）。 ■特にGaNの優れた臨界電場はパワー半導体としてきわめて魅力的な特性。 ■シリコンスイッチよりもオン抵抗とキャパシタンスがはるかに低いGaN HEMTは、高速スイッチングに最適。