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高周波バイポーラトランジスタとは、正孔と電子の2種のキャリアを持つ接合型半導体素子であるバイポーラトランジスタの中で、高周波用途に使用できるトランジスタ。高周波用トランジスタとして最も多く使われている。比較的低い周波数帯域までしか使えないが、数百MHzまでならば大きなゲインを得ることができる。またピンクノイズ（1/fノイズ）が比較的少ないという特性から2GHz程度までの帯域に使用される。
低ノイズ広帯域アンプ(LNA)、Silicon Germanium Carbon (SiGe:C) Heterojunction Bipolar RF Transistor (HBT)
GaN-on-SiC、HEMTベースのディスクリートCWおよび最大14GHzのパルスRFおよびマイクロ波トランジスタ製品
GaN Power Amplifier、Silicon Bipolar、HBT
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| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | オンセミ | 30.0% |
| 2 | 東芝デバイス＆ストレージ | 25.0% |
| 3 | インフィニオン テクノロジーズ | 15.0% |
| 4 | マイクロチップ | 10.0% |
| 5 | MACOM | 7.5% |
| 5 | Cystech Electronics | 7.5% |
| 7 | ルネサス エレクトロニクス | 5.0% |
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