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高周波パワーMOSFETとは、比較的に大きな電力を制御できるパワーMOSFETの中で、高周波帯域での使用ができるMOSFET。MOSFETは、Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistorの省略名。バイポーラトランジスタに比べるとスイッチングが速く、200V位までの低圧領域であればオン抵抗が低いという利点がある。高周波パワーMOSFETは、主に1GHzくらいまでの高周波電力の増幅用に使用されている。
RF DMOSトランジスタ、RF LDMOSトランジスタ
Discrete Power GaN HEMTs
3.6V/7.2V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FET（ディスクリート）、7.2V/9.6V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール
GaN Amplifier、Silicon Bipolar、MOSFET
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| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | STマイクロエレクトロニクス | 22.5% |
| 2 | 東芝デバイス＆ストレージ | 20.0% |
| 3 | AMCOM Communications | 15.0% |
| 4 | 三菱電機 半導体・デバイス | 10.0% |
| 5 | Semelab | 7.5% |
| 5 | MACOM | 7.5% |
| 7 | Integra Technologies | 5.0% |
| 7 | Polyfet RF Devices | 5.0% |
| 7 | Point Nine Technologies | 5.0% |
| 10 | Transcom | 2.5% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。