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HEMT (ヘテロ接合 FET)とは、化合物半導体のヘテロ接合面に形成された高純度層の高移動度電子をキャリアとする電界効果トランジスタ。高電子移動度トランジスタとも呼ばれる。HEMTは、High Electron Mobility Transistorの省略名。富士通の技術者が発明したトランジスタである。スイッチング速度が速く、低雑音で、高周波域での利得も高く、高周波増幅や高速演算に適している。車載レーダーや無線設備などに使われている。
HEMT、GaAs FET
移動通信システム基地局用 GaN HEMT, 衛星通信（SATCOM）地球局用GaN HEMT・MMIC
GaN Amplifier、Silicon Bipolar、MOSFET
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| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 住友電工デバイス・イノベーション | 22.7% |
| 1 | Qorvo | 22.7% |
| 3 | 三菱電機 半導体・デバイス | 18.2% |
| 4 | ローム | 13.6% |
| 4 | MicroWave Technology (MWT) | 13.6% |
| 6 | 中央電子工業 | 9.1% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。