日本最大の電子・産業部品ポータルサイト indexPro
indexPro のご利用にあたって
2022年4月より、利用規約を制定しています。詳細は indexPro 利用規約 をご確認ください。
また本ウェブサイトでは、利用者の個人情報について法令およびその他の規範を遵守し利用者の個人情報の保護に努めております。
利用にあたりIPアドレス、またはセッションIDを取得することがありますが、これらは匿名化した上で統計利用しています。
詳細につきましてはこちらをご覧頂ください。
HEMT (ヘテロ接合 FET)とは、化合物半導体のヘテロ接合面に形成された高純度層の高移動度電子をキャリアとする電界効果トランジスタ。高電子移動度トランジスタとも呼ばれる。HEMTは、High Electron Mobility Transistorの省略名。富士通の技術者が発明したトランジスタである。スイッチング速度が速く、低雑音で、高周波域での利得も高く、高周波増幅や高速演算に適している。車載レーダーや無線設備などに使われている。
HEMT、GaAs FET
移動通信システム基地局用 GaN HEMT, 衛星通信（SATCOM）地球局用GaN HEMT・MMIC
GaN Amplifier、Silicon Bipolar、MOSFET
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | ローム | 16.7% |
| 1 | 住友電工デバイス・イノベーション | 16.7% |
| 1 | 東芝インフラシステムズ | 16.7% |
| 4 | Qorvo | 13.3% |
| 4 | MicroWave Technology (MWT) | 13.3% |
| 4 | 中央電子工業 | 13.3% |
| 7 | 三菱電機 半導体・デバイス | 10.0% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。