製品情報 パワーMOSFET

新世代のOptiMOS^TM PDは、USB-PDや急速充電器の設計に最適なMOSFETの新製品。2種類の小型標準パッケージ、短いリードタイムと迅速な見積回答でお客様をサポート。 ■最高の効率と電力密度の設計　■小型・軽量で環境にやさしい製品 　 ■優れた価格性能比主な特長　■ロジックレベルで利用可　 ■低いオン抵抗　■低ゲート、低出力、低逆回復電荷　 ■優れた温度特性

SuperSO8およびPQFN（3.3 x 3.3）に搭載されたOptiMOS^TMロジックレベルMOSFET 60Vは、パワーツール、低電圧ドライブ、アダプター、充電器、通信アプリケーションに使用される既存ラインアップを強化。 ■きわめて低いRDS (on) により、最高の電力密度と効率を実現　 ■最高175°Cの高い動作温度により信頼性を向上　 ■低いRthJCによる優れた熱特性　 ■低い逆回復電荷量（Qrr）　 ■マイコンから直接駆動可能

新しいStrongIRFET^TM 2 パワーMOSFET 80Vおよび100Vは、幅広いアプリケーションに対応する最新世代のMOSFET技術。低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に対応。 ■優れた価格/性能比　■高い電流定格　 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に最適 【対象アプリケーション】 　アダプター、TV、モータードライブ、e-スクーター、 　バッテリー管理、小型電気自動車、ロボット、電動工具、園芸用工具

【SJ MOSFETシリーズ】さまざまなアプリケーションの典型的な課題を、クラス最高の価格性能比と優れた使いやすさを実現することで解決。 【700V、800V、950VのCoolMOS^TM P7 スーパージャンクションMOSFET製品ファミリ】アダプタ、充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメータ、補助電源、産業用電源など、フライバックベースの低電力SMPSアプリケーション向けに開発。

【SJ MOSFET CoolMOS^TMシリーズ】低電力SMPSにおいて、スマートフォン/タブレット充電器、ノートブックPC用アダプタ、LED照明、オーディオやTV電源などのアプリケーションに対応。 【最新CoolMOS^TM 7 SJ MOSFETシリーズのC7、G7、CFD7、P7の各製品ファミリ】サーバー、テレコム、PC電源、太陽光発電、UPS、産業機器用アプリケーション向けに、必要な機能をすべて搭載。 CoolMOS^TMを選択して、最高の効率性と最高のコストパフォーマンスを実現。

現在StrongIRFET^TMによって補完されており、強力な組み合わせを生み出すOptiMOS^TMパワーMOSFETポートフォリオ。 12V～300VのMOSFETをカバーするこの共同ポートフォリオは、低スイッチング周波数から高スイッチング周波数までの幅広いニーズに対応可能。

インフィニオンは、Nチャネル ディプリーションMOSFETを提供している、世界でも数少ない半導体メーカー。シングルチャネル電流レギュレータの機能を1部品化。 ■1つのコンポーネントだけで、シンプルな電流調整を実現可能　 ■製品はすべて、 車載アプリケーションに最適 【対象アプリケーション】 　電源のスタートアップ電力、過電圧保護、 　突入電流制限器、オフライン電圧参照など

NチャネルとPチャネルの相補型MOSFET。 ■NチャネルとPチャネルのMOSFETのペアを1つのパッケージで提供　 ■製品はすべて、車載アプリケーションに最適　 ※SO-8パッケージを除く。詳細はお問い合わせください。

低オン抵抗RDS(on) と広い安全動作領域（SOA）を両立したMOSFET ■高い最大パルス電流 ■高い連続パルス電流 ■堅牢なリニアモード動作 ■低い導通損失 ■より高い突入電流に対応し、起動迅速化とダウンタイム短縮を実現 ■テレコム、バッテリ管理向け

定番のOptiMOS^TM及びCoolMOS^TMシリーズで、表面実装型のTOリードレス（TOLL）パッケージMOSFETを豊富にご用意 ■オン抵抗 = 0.4mΩ (Max)の業界最高水準のシリコンを搭載。 　（30V耐圧製品 IPT004N03Lの場合） ■TO-247 、TO-220 等の挿入型パッケージと比較して、 　効率の向上だけでなく、BOMコスト・実装コストも低減。 ■フォークリフト、軽量電気自動車、POL、テレコム向け

第7世代CoolMOSテクノロジー採用でクラス最高の効率と熱性能を実現 ■TO252 (DPAK) でクラス最高のRDS(on)280mΩを達成 ■ゲートドライブ特性の最適化、V(GS)th 3 V ± 0.5 V ■ツェナーダイオードを内蔵、HBM Class2のESD特性 ■280mΩ～4.5Ω、6種類のパッケージ多彩なポートフォリオ ■LED照明、アダプター/チャージャーアプリケーションに最適化

CoolMOS^TM CPと比べ、ターンオフ損失（Eoss）が最大50%抑えられ、PFC、TTFその他のハードスイッチング トポロジでGaN並みの性能を発揮 ■効率や総所有コストが重視されるアプリケーションの場合 　600V CoolMOS^TM C7により効率を向上。PFCトポロジで0.3%～0.7%、LLCトポロジで0.1%の効率向上が可能。 ■2.5kWのサーバ電源（PSU）の場合 　4ピンTO-247パッケージの600V CoolMOS^TM C7を使用すると、PSUのエネルギー損失低減により最大10%の電力コスト削減が可能。

高い電力密度とコンパクトな設計を実現した、SS08パッケージのパワーMOSFET ■5ｘ6mm² SS08リードレス パッケージ（フットプリント35mm²） ■アプリケーションに合わせて選べる18製品をラインアップ ■120Aの連続電流定格を提供 ■R DS (on) は0.5mΩから4.4mΩの範囲で、低い消費電力

高品質で優れた性能を備える車載向け最先端パワーMOSFET ■幅広いポートフォリオ 　NチャンネルMOSFET､PチャンネルMOSFET､デュアルチャンネルMOSFET ■トレンチテクノロジーで0.35mΩまでのR DS (on) 性能 ■20～800V ■AEC-Q101をはるかに超える最高品質基準 ■標準パッケージで最高の電流能力を実現 ■最小のスイッチング損失と導通損失 ■堅牢なパッケージテクノロジー

低RDS(on) 600V SJ MOSFET ●コンパクトな上面冷却QDPAKパッケージを採用 ●高耐圧SJ MOSFETとして市場最高レベルの低RDS (on)を実現 ●ケルビンソース端子により、大電流時のスイッチング性能が向上 ●ソリッドステート設計からヒートシンクを除去または削減 ●低周波スイッチングアプリケーションやソリッドステート ソリューションに最適

XK1R9F10QBは48V系車載機器のロードスイッチ、スイッチング電源、モーター駆動などに適した100V耐圧NチャネルパワーMOSFETです。最新世代プロセスを採用したトレンチ構造MOSFETを採用し、低抵抗パッケージに搭載することにより業界トップクラスの低オン抵抗を実現しました。最大オン抵抗を1.92mΩに抑え、従来製品と比べて約20%低減しました。これにより機器の低消費電力化に貢献します。

TPH2R408QM、TPN19008QMはデータセンターや通信基地局などの産業機器向けスイッチング電源に適した最新世代プロセスを採用した、表面実装タイプパッケージの80V耐圧NチャネルパワーMOSFET です。 従来世代プロセス80V耐圧製品と比べて、ドレイン･ソース間オン抵抗を約40%低減しました。さらに、素子構造を最適化し、ドレイン･ソース間オン抵抗とゲート電荷量特性のトレードオフを改善しました。これにより、スィッチング電源の高効率化に貢献します。

データセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなど産業機器のスイッチング電源向けに、650V耐圧の新世代スーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET DTMOSVIシリーズにTK110N65Z他７品種のラインアップを拡充しました。DTMOSVIシリーズは、従来世代シリーズと比べて、性能指数のドレイン·ソース間オン抵抗×ゲート·ドレイン間電荷量を約40%低減し、スイッチング電源の効率を約0.36%向上させることが可能です。

XPN3R804NC他3品種はウェッタブルフランク構造のTSON Advance(WF)パッケージを採用しており、基板実装状態の自動外観検査が容易になります。さらに、当社の「U-MOS VIII-H」プロセスを採用した低オン抵抗製品のため、機器の省電力化に貢献します。性能改善により一回り大きい5×6mmサイズの従来製品を置き換えることでECUの小型化にも貢献できます。また、AEC-Q101に適合しています。

業界での実装互換を重視した表面実装タイプパッケージSOP Advance(N)を採用したTPH2R408QM他３製品をリリースしました。低耐圧トレンチ構造の新世代プロセスで、業界トップクラスの低いドレイン · ソース間オン抵抗を実現しました。素子構造を最適化し、ドレイン · ソース間オン抵抗と出力電荷量のトレードオフを改善し導通損失が低減し、機器の省電力化に貢献します。

【TK040Z65Z】 【TK065N65Z】、【TK065Z65Z】 【TK090N65Z】、【TK090Z65Z】、【TK090A65Z】 データーセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなどのスイッチング電源向け650V耐圧のスーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFETDTMOSVI (ディーティーモスシックス)。

【XPH4R10ANB】　ドレイン電流定格：70A オン抵抗：4.1mΩ (max) @V_GS=10V 【XPH6R30ANB】　ドレイン電流定格：45A オン抵抗：6.3mΩ (max) @V_GS=10V ■用途：電源装置、LEDヘッドライトなど ■AEC-Q101適合 ■ウェッタブルフランク構造のSOP Advance(WF)パッケージを採用