製品情報 パワーMOSFET　メーカー29社の製品一覧

データセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した、80V/150V耐圧のNチャネルパワーMOSFETです。パッケージ抵抗と熱抵抗を低減した新パッケージ SOP Advance(E)を採用し、ドレイン・ソース間オン抵抗とチャネル・ケース間熱抵抗の低減を実現しています。これにより、産業用機器のスイッチング電源などの低損失化、高効率化に貢献します。

データセンター向けサーバーや産業用機器のスイッチング電源、太陽光発電パワーコンディショナーなどに適した、600V耐圧のNチャネルパワーMOSFET「TK024N60Z1」は、スーパージャンクション構造のDTMOSⅥ (ディーティーモスシックス) シリーズのプロセスを採用しており、シリーズの中で最小のオン抵抗を実現しています。これにより、導通損失を低減でき、電源の高効率化に貢献します。

「U-MOSⅩ-Hシリーズ」の6品種は、データセンターや通信基地局などの産業用機器向けスイッチング電源に適した150V耐圧NチャネルパワーMOSFETです。オン抵抗を低減し、またハイスピード・ダイオードの採用により同期整流用途に重要な逆回復特性を向上しました。さらに、ドレイン・ソース間スパイク電圧を低減しており、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。

新製品「DTMOSⅥ(ディーティーモスシックス) シリーズ」9品種は、データセンター向け高効率スイッチング電源、太陽光発電パワーコンディショナーなどに適した600V耐圧NチャネルパワーMOSFETです。ゲートデザインおよびプロセスの最適化により低導通損失および低スイッチング損失の両立を実現し、スイッチング電源の高効率化に貢献します。

「TK042N65Z5」は、高速ダイオードによる高速逆回復時間 (trr=160ns (Typ.)) が特長の650V耐圧NチャネルパワーMOSFETです。当社最新プロセス DTMOSVI(HSD) を採用しています。 当社既存製品TK62N60W5と比べ、高温のドレインしゃ断電流を約90%、性能指数の「ドレイン・ソース間オン抵抗×ゲート・ドレイン間電荷量」を約72%低減しています。 スイッチング電源などの電力損失を低減し、省エネルギー化に貢献します。

本製品は、ロードスイッチや半導体リレーなどの車載機器に適した－60V耐圧PチャネルパワーMOSFETです。SOP(Small Outline Package) Advance(WF)は、ウェッタブルフランク構造を採用した表面実装タイプのパッケージです。当社製品XPH13016MCの最大ドレイン・ソース間オン抵抗は、当社従来品と比べ、約49%低減の12.9mΩを実現しました。

TPH9R00CQ5は、ドレイン・ソース間オン抵抗を9.0 mΩ（max）に抑え、逆回復電荷量を34 nC (typ.)に低減し、逆回復時間を40 ns (typ.)に高速化した、150 V耐圧NチャネルパワーMOSFETです。 スイッチング時にドレイン・ソース間に発生するスパイク電圧も当社既存製品と比べて低減させており、スイッチング電源の低EMI化に貢献します。

高放熱の新パッケージL-TOGL^TMを採用し、高ドレイン電流定格を実現した車載用NチャネルパワーMOSFET2製品を製品化しました。高ドレイン電流(DC)定格は「XPQR3004PB」が400A、「XPQ1R004PB」が200Aです。新規パッケージ技術により、大電流が求められるインバーターや半導体リレーの用途で、放熱設計の簡易化とMOSFETの員数削減による機器の小型化に貢献します。

データセンターや太陽光発電パワーコンディショナーなど産業機器のスイッチング電源向けに、650V耐圧の新世代スーパージャンクション構造NチャネルパワーMOSFET DTMOSVIシリーズにTK110N65Z他７品種のラインアップを拡充しました。DTMOSVIシリーズは、従来世代シリーズと比べて、性能指数のドレイン·ソース間オン抵抗×ゲート·ドレイン間電荷量を約40%低減し、スイッチング電源の効率を約0.36%向上させることが可能です。

車載用途に適した高性能、高品質、堅牢性を備えた、80V、Nチャネル、最大1.3 mΩ、車載用MOSFETのOptiMOS^TM 7「IAUCN08S7N013」は、電力密度の分野で大きく前進 ●SSO8 SMDパッケージ (5x6mm2) で提供 ●前世代品よりRDS(on)が50％以上低減 ●業界最小のRDS(on)と最良のFOM (RDS(on) x Qg) ●高速スイッチングと優れた熱特性 ●AEC-Q101を凌ぐ品質基準と高い耐久性

高耐圧スーパージャンクションMOSFETファミリー 600V CoolMOS^TM 8 ■ゲート電荷(Qg)と出力容量(COSS)が低く、高効率と信頼性 ■高速ボディダイオードが内蔵され、設計が簡素化 ■熱性能(Rth)が14-42%向上 ■ソフトスイッチングトポロジーでの高効率と信頼性 ■低コストが可能なSiベースのソリューション

新世代のOptiMOS^TM PDは、USB-PDや急速充電器の設計に最適なMOSFETの新製品。2種類の小型標準パッケージ、短いリードタイムと迅速な見積回答でお客様をサポート。 ■最高の効率と電力密度の設計　■小型・軽量で環境にやさしい製品 　 ■優れた価格性能比主な特長　■ロジックレベルで利用可　 ■低いオン抵抗　■低ゲート、低出力、低逆回復電荷　 ■優れた温度特性

SuperSO8およびPQFN（3.3 x 3.3）に搭載されたOptiMOS^TMロジックレベルMOSFET 60Vは、パワーツール、低電圧ドライブ、アダプター、充電器、通信アプリケーションに使用される既存ラインアップを強化。 ■きわめて低いRDS (on) により、最高の電力密度と効率を実現　 ■最高175°Cの高い動作温度により信頼性を向上　 ■低いRthJCによる優れた熱特性　 ■低い逆回復電荷量（Qrr）　 ■マイコンから直接駆動可能

新しいStrongIRFET^TM 2 パワーMOSFET 80Vおよび100Vは、幅広いアプリケーションに対応する最新世代のMOSFET技術。低周波と高周波の両方のスイッチング周波数に対応。 ■優れた価格/性能比　■高い電流定格　 ■高周波、低周波、両方のスイッチング周波数に最適 【対象アプリケーション】 　アダプター、TV、モータードライブ、e-スクーター、 　バッテリー管理、小型電気自動車、ロボット、電動工具、園芸用工具

【SJ MOSFETシリーズ】さまざまなアプリケーションの典型的な課題を、クラス最高の価格性能比と優れた使いやすさを実現することで解決。 【700V、800V、950VのCoolMOS^TM P7 スーパージャンクションMOSFET製品ファミリ】アダプタ、充電器、照明、オーディオSMPS、スマートメータ、補助電源、産業用電源など、フライバックベースの低電力SMPSアプリケーション向けに開発。

【SJ MOSFET CoolMOS^TMシリーズ】低電力SMPSにおいて、スマートフォン/タブレット充電器、ノートブックPC用アダプタ、LED照明、オーディオやTV電源などのアプリケーションに対応。 【最新CoolMOS^TM 7 SJ MOSFETシリーズのC7、G7、CFD7、P7の各製品ファミリ】サーバー、テレコム、PC電源、太陽光発電、UPS、産業機器用アプリケーション向けに、必要な機能をすべて搭載。 CoolMOS^TMを選択して、最高の効率性と最高のコストパフォーマンスを実現。

現在StrongIRFET^TMによって補完されており、強力な組み合わせを生み出すOptiMOS^TMパワーMOSFETポートフォリオ。 12V～300VのMOSFETをカバーするこの共同ポートフォリオは、低スイッチング周波数から高スイッチング周波数までの幅広いニーズに対応可能。

インフィニオンは、Nチャネル ディプリーションMOSFETを提供している、世界でも数少ない半導体メーカー。シングルチャネル電流レギュレータの機能を1部品化。 ■1つのコンポーネントだけで、シンプルな電流調整を実現可能　 ■製品はすべて、 車載アプリケーションに最適 【対象アプリケーション】 　電源のスタートアップ電力、過電圧保護、 　突入電流制限器、オフライン電圧参照など

NチャネルとPチャネルの相補型MOSFET。 ■NチャネルとPチャネルのMOSFETのペアを1つのパッケージで提供　 ■製品はすべて、車載アプリケーションに最適　 ※SO-8パッケージを除く。詳細はお問い合わせください。

低オン抵抗RDS(on) と広い安全動作領域（SOA）を両立したMOSFET ■高い最大パルス電流 ■高い連続パルス電流 ■堅牢なリニアモード動作 ■低い導通損失 ■より高い突入電流に対応し、起動迅速化とダウンタイム短縮を実現 ■テレコム、バッテリ管理向け

定番のOptiMOS^TM及びCoolMOS^TMシリーズで、表面実装型のTOリードレス（TOLL）パッケージMOSFETを豊富にご用意 ■オン抵抗 = 0.4mΩ (Max)の業界最高水準のシリコンを搭載。 　（30V耐圧製品 IPT004N03Lの場合） ■TO-247 、TO-220 等の挿入型パッケージと比較して、 　効率の向上だけでなく、BOMコスト・実装コストも低減。 ■フォークリフト、軽量電気自動車、POL、テレコム向け

第7世代CoolMOSテクノロジー採用でクラス最高の効率と熱性能を実現 ■TO252 (DPAK) でクラス最高のRDS(on)280mΩを達成 ■ゲートドライブ特性の最適化、V(GS)th 3 V ± 0.5 V ■ツェナーダイオードを内蔵、HBM Class2のESD特性 ■280mΩ～4.5Ω、6種類のパッケージ多彩なポートフォリオ ■LED照明、アダプター/チャージャーアプリケーションに最適化

CoolMOS^TM CPと比べ、ターンオフ損失（Eoss）が最大50%抑えられ、PFC、TTFその他のハードスイッチング トポロジでGaN並みの性能を発揮 ■効率や総所有コストが重視されるアプリケーションの場合 　600V CoolMOS^TM C7により効率を向上。PFCトポロジで0.3%～0.7%、LLCトポロジで0.1%の効率向上が可能。 ■2.5kWのサーバ電源（PSU）の場合 　4ピンTO-247パッケージの600V CoolMOS^TM C7を使用すると、PSUのエネルギー損失低減により最大10%の電力コスト削減が可能。