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IGBTとは

IGBTとは、入力部をMOSFET構造、出力部をバイポーラ構造とした半導体素子。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor)の略称。MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を活かした、高入力インピーダンス、高耐圧、低オン抵抗で、比較的に高速スイッチング(MOSFETには劣る)。高耐圧、大電流のアプリケーションに適したトランジスタである。

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IGBTのクリックランキング 2025年6月 BEST12

順位 企業名 クリック割合
1 東芝デバイス&ストレージ 15.5%
2 ローム 9.9%
3 ルネサス エレクトロニクス 8.5%
4 インフィニオン テクノロジーズ 7.0%
4 Silan Microelectronics 7.0%
6 リテルヒューズ 5.6%
6 KEC 5.6%
6 Diodes 5.6%
9 サンケン電気 4.2%
9 STマイクロエレクトロニクス 4.2%
9 富士電機 4.2%
9 Alpha & Omega Semiconductor 4.2%

※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。

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