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IGBTとは、入力部をMOSFET構造、出力部をバイポーラ構造とした半導体素子。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor）の略称。MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を活かした、高入力インピーダンス、高耐圧、低オン抵抗で、比較的に高速スイッチング（MOSFETには劣る）。高耐圧、大電流のアプリケーションに適したトランジスタである。
IGBTとダイオードを同チップ化したRC-D2 IGBTのラインナップ。RC-DF（Reverse Conducting Drives Fast） IGBTの後継品で、民生用ドライブに最適。 ■優れたdi/dt制御性により電磁ノイズ低減 ■対湿性向上（HV-H3TRB試験合格） ■IGBTファミリー初のSOT-223パッケージ （DPAKパッケージとのピン互換が可能）
可変速制御のドライブ向けに特化したTRENCHSTOPTM IGBTの第7世代であるIGBT7シリーズのラインナップ。新しいマイクロパターントレンチ技術を採用し、高レベルの制御性を実現。 ■中速な駆動周波数の産業用ドライブアプリケーション向け ■ディスクリート、モジュールまで幅広いラインナップ ■EMIノイズ低減 ■優れた制御性
【GT20N135SRA】 卓上IH調理器、IH炊飯器、電子レンジなど調理家電の電圧 共振回路用1350V耐圧のディスクリートIGBT。 ■コレクター･エミッター飽和電圧：1.75V ■ダイオード順電圧：1.8V ■接合･ケース間熱抵抗：0.48℃/W(max)
IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor、電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター） IGBTの素子構造を工夫し、高耐圧化に伴う急激なオン電圧の増大を改善した素子。電圧駆動で大電流を制御できるパワーデバイス。
IGBT/MOSFET Driver
IGBT, MOSFET, SiC MOSFET を駆動
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| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | インフィニオン テクノロジーズ | 14.2% |
| 2 | 東芝デバイス＆ストレージ | 10.4% |
| 3 | 三菱電機 半導体・デバイス | 8.7% |
| 4 | ローム | 8.2% |
| 5 | サンケン電気 | 6.6% |
| 5 | 富士電機 | 6.6% |
| 7 | ルネサス エレクトロニクス | 5.5% |
| 7 | リテルヒューズ | 5.5% |
| 9 | STマイクロエレクトロニクス | 4.9% |
| 10 | Power Integrations | 4.4% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。