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インフィニオンの1200V TRENCHSTOPTM IGBT7およびEC7ダイオード技術は、電力損失を大幅に削減し、高い制御性を提供する最新のマイクロパターントレンチ技術に基づいています。 このチップは特に産業用ドライブアプリケーション向けに最適化されているため、静的損失の大幅低減、高電力密度、よりソフトなスイッチングを実現できます。 更に、パワーモジュールで過負荷状態での最大許容動作温度を175℃まで高めることにより、電力密度を大幅に高めることができます。
ディスクリート製品のTRENCHSTOPTM IGBT6ファミリは、低出力モータ駆動アプリケーション向けに最適化されています。 TRENCHSTOPTM IGBT6は、電力損失を最大20%低減でき、また650Vの高い阻止電圧と短絡耐量により、堅牢で効率的なモータの設計を実現します。 TRENCHSTOPTM IGBT6ファミリの製品は、絶縁要件を満たすTO-220 FullPAKパッケージ、ならびに小型表面実装型パッケージのDPAKでご提供します。
1200V IGBT世代であるTRENCHSTOPTM IGBT 6は、通損失が適化されたS6シリーズ、スイッチング損失が改善されたH6シリーズの2つの製品ファミリからなります。 TRENCHSTOPTM IGBT6 S6シリーズは、Highspeed3 H3の低いスイッチング損失と、1.85V(VCEsat)の低い導通損失を組み合わせた製品シリーズです。 TRENCHSTOPTM IGBT6 H6シリーズは、低スイッチング損失に最適化されており、前世代のH3に比べて総スイッチング損失が約15％低くなっています。
【GT20N135SRA】 卓上IH調理器、IH炊飯器、電子レンジなど調理家電の電圧 共振回路用1350V耐圧のディスクリートIGBT。 ■コレクター･エミッター飽和電圧：1.75V ■ダイオード順電圧：1.8V ■接合･ケース間熱抵抗：0.48℃/W(max)
IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor、電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター） IGBTの素子構造を工夫し、高耐圧化に伴う急激なオン電圧の増大を改善した素子。電圧駆動で大電流を制御できるパワーデバイス。
IGBT/MOSFET Driver
IGBT, MOSFET, SiC MOSFET を駆動
【ご注意】
ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 東芝デバイス＆ストレージ | 10.2% |
| 1 | インフィニオン テクノロジーズ | 10.2% |
| 3 | リテルヒューズ | 8.5% |
| 3 | サンケン電気 | 8.5% |
| 5 | ローム | 7.6% |
| 5 | IXYS Power Semiconductors | 7.6% |
| 7 | KEC | 6.8% |
| 8 | オンセミ | 5.1% |
| 8 | 富士電機 | 5.1% |
| 8 | STマイクロエレクトロニクス | 5.1% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数
このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。