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IGBTとは、入力部をMOSFET構造、出力部をバイポーラ構造とした半導体素子。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor）の略称。MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を活かした、高入力インピーダンス、高耐圧、低オン抵抗で、比較的に高速スイッチング（MOSFETには劣る）。高耐圧、大電流のアプリケーションに適したトランジスタである。
【GT20N135SRA】 卓上IH調理器、IH炊飯器、電子レンジなど調理家電の電圧 共振回路用1350V耐圧のディスクリートIGBT。 ■コレクター･エミッター飽和電圧：1.75V ■ダイオード順電圧：1.8V ■接合･ケース間熱抵抗：0.48℃/W(max)
IGBTとダイオードを同チップ化したRC-D2 IGBTのラインナップ。RC-DF（Reverse Conducting Drives Fast） IGBTの後継品で、民生用ドライブに最適。 ■優れたdi/dt制御性により電磁ノイズ低減 ■対湿性向上（HV-H3TRB試験合格） ■IGBTファミリー初のSOT-223パッケージ （DPAKパッケージとのピン互換が可能）
可変速制御のドライブ向けに特化したTRENCHSTOPTM IGBTの第7世代であるIGBT7シリーズのラインナップ。新しいマイクロパターントレンチ技術を採用し、高レベルの制御性を実現。 ■中速な駆動周波数の産業用ドライブアプリケーション向け ■ディスクリート、モジュールまで幅広いラインナップ ■EMIノイズ低減 ■優れた制御性
IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor、電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター） IGBTの素子構造を工夫し、高耐圧化に伴う急激なオン電圧の増大を改善した素子。電圧駆動で大電流を制御できるパワーデバイス。
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
UPS、パワコン、エアコン、溶接機などの用途で、力率改善回路やDC/ACコンバータ回路に適用。
対応しているメーカ：ハリス、ルネサス、オンセミ、フェアチャイルド、infineon, IR, 三洋
IGBT, MOSFET, SiC MOSFET を駆動
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | サンケン電気 | 11.6% |
| 2 | インフィニオン テクノロジーズ | 8.5% |
| 2 | ルネサス エレクトロニクス | 8.5% |
| 4 | ローム | 7.8% |
| 4 | オンセミ | 7.8% |
| 4 | 東芝デバイス＆ストレージ | 7.8% |
| 7 | 富士電機 | 7.0% |
| 8 | STマイクロエレクトロニクス | 6.2% |
| 9 | リテルヒューズ | 3.1% |
| 9 | Diodes | 3.1% |
| 9 | Alpha & Omega Semiconductor | 3.1% |
| 9 | ロチェスターエレクトロニクス | 3.1% |
| 9 | WeEn Semiconductors | 3.1% |
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