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IGBTとは、入力部をMOSFET構造、出力部をバイポーラ構造とした半導体素子。絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor）の略称。MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を活かした、高入力インピーダンス、高耐圧、低オン抵抗で、比較的に高速スイッチング（MOSFETには劣る）。高耐圧、大電流のアプリケーションに適したトランジスタである。
【GT20N135SRA】 卓上IH調理器、IH炊飯器、電子レンジなど調理家電の電圧 共振回路用1350V耐圧のディスクリートIGBT。 ■コレクター･エミッター飽和電圧：1.75V ■ダイオード順電圧：1.8V ■接合･ケース間熱抵抗：0.48℃/W(max)
IGBTとダイオードを同チップ化したRC-D2 IGBTのラインナップ。RC-DF（Reverse Conducting Drives Fast） IGBTの後継品で、民生用ドライブに最適。 ■優れたdi/dt制御性により電磁ノイズ低減 ■対湿性向上（HV-H3TRB試験合格） ■IGBTファミリー初のSOT-223パッケージ （DPAKパッケージとのピン互換が可能）
可変速制御のドライブ向けに特化したTRENCHSTOPTM IGBTの第7世代であるIGBT7シリーズのラインナップ。新しいマイクロパターントレンチ技術を採用し、高レベルの制御性を実現。 ■中速な駆動周波数の産業用ドライブアプリケーション向け ■ディスクリート、モジュールまで幅広いラインナップ ■EMIノイズ低減 ■優れた制御性
IEGT（Injection Enhanced Gate Transistor、電子注入促進型絶縁ゲートトランジスター） IGBTの素子構造を工夫し、高耐圧化に伴う急激なオン電圧の増大を改善した素子。電圧駆動で大電流を制御できるパワーデバイス。
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ
パルストランスやフォトカプラを用いたパワーMOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり、マイコンなどの入力信号で直接ゲートを駆動する高耐圧IC
UPS、パワコン、エアコン、溶接機などの用途で、力率改善回路やDC/ACコンバータ回路に適用。
ESDおよび過電圧固定保護を組み合わせたモノリシック回路を特徴とし、 誘導コイル駆動アプリケーションに利用
IGBT, MOSFET, SiC MOSFET を駆動
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| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 東芝デバイス＆ストレージ | 17.7% |
| 2 | インフィニオン テクノロジーズ | 12.9% |
| 3 | ローム | 9.7% |
| 3 | サンケン電気 | 9.7% |
| 3 | ルネサス エレクトロニクス | 9.7% |
| 6 | 三菱電機 半導体・デバイス | 8.1% |
| 6 | オンセミ | 8.1% |
| 8 | 富士電機 | 6.5% |
| 9 | マイクロチップ | 3.2% |
| 9 | KEC | 3.2% |
| 9 | Good-Ark | 3.2% |
| 9 | ユニソニック テクノロジー （UTC） | 3.2% |
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