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IGBTモジュールとは、単数または複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor）と一部の周縁部品を一体型としたもの。IGBTは、MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を活かした、高入力インピーダンス、高速スイッチング、高耐圧で低オン抵抗のトランジスタ。モジュール化することで出力容量が格段に大きくなり、高電圧・高電流のアプリケーションに適したデバイス。
コンバータへの組込に最適化されたPrimePACKTMのラインナップ。 ■高い信頼性 ■高絶縁のNTC内蔵 ■低浮遊インダクタンス ■広い動作温度範囲および優れた熱特性
産業用ドライブアプリケーション向けのソリューションであるEconoPIMTMファミリーのラインナップ。モジュール内にはブリッジ整流器、ブレーキチョッパー、インバータ段を統合。 ■NPTからTRENCHSTOPTMまで様々なチップに対応 ■PressFITピン、熱伝導材料（TIM）カスタムが可能
柔軟なカスタムに優れたパワーモジュールソリューションであるEasyファミリーのラインナップ。新たに加わったEasy 3Bパッケージにより、さらに幅広いラインアップを提供。 ■高さ12mmのベースプレートレスパッケージ ■チップ構成・ピン配置の優れたカスタム性 ■PressFITピン、熱伝導材料（TIM）カスタムが可能
CoolSiC(TM) Hybrid Module - IGBTと組み合わせてSiCダイオードを実装したパワーモジュール
3300V,4500V
(-55°C/-40°C TO 175°C)
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| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 京セラ | 10.9% |
| 1 | 三菱電機 半導体・デバイス | 10.9% |
| 3 | Vishay | 9.4% |
| 3 | 富士電機 | 9.4% |
| 5 | リテルヒューズ | 7.8% |
| 5 | インフィニオン テクノロジーズ | 7.8% |
| 5 | SEMIKRON-Danfoss | 7.8% |
| 8 | 日立エナジー | 6.3% |
| 8 | Silan Microelectronics | 6.3% |
| 8 | 日本インターナショナルPS | 6.3% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。