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IGBTモジュールとは、単数または複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor）と一部の周縁部品を一体型としたもの。IGBTは、MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を活かした、高入力インピーダンス、高速スイッチング、高耐圧で低オン抵抗のトランジスタ。モジュール化することで出力容量が格段に大きくなり、高電圧・高電流のアプリケーションに適したデバイス。
コンバータへの組込に最適化されたPrimePACKTMのラインナップ。 ■高い信頼性 ■高絶縁のNTC内蔵 ■低浮遊インダクタンス ■広い動作温度範囲および優れた熱特性
産業用ドライブアプリケーション向けのソリューションであるEconoPIMTMファミリーのラインナップ。モジュール内にはブリッジ整流器、ブレーキチョッパー、インバータ段を統合。 ■NPTからTRENCHSTOPTMまで様々なチップに対応 ■PressFITピン、熱伝導材料（TIM）カスタムが可能
柔軟なカスタムに優れたパワーモジュールソリューションであるEasyファミリーのラインナップ。新たに加わったEasy 3Bパッケージにより、さらに幅広いラインアップを提供。 ■高さ12mmのベースプレートレスパッケージ ■チップ構成・ピン配置の優れたカスタム性 ■PressFITピン、熱伝導材料（TIM）カスタムが可能
CoolSiC(TM) Hybrid Module - IGBTと組み合わせてSiCダイオードを実装したパワーモジュール
1700V, 3300V, 4500V
(-55°C/-40°C TO 175°C)
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | 三菱電機 半導体・デバイス | 14.3% |
| 2 | 京セラ | 10.7% |
| 3 | 三社電機製作所 | 7.1% |
| 3 | Vishay | 7.1% |
| 3 | リテルヒューズ | 7.1% |
| 6 | ミネベアパワーデバイス | 5.4% |
| 6 | インフィニオン テクノロジーズ | 5.4% |
| 6 | 日立エナジー | 5.4% |
| 6 | Micro Commercial Components (MCC) | 5.4% |
| 10 | 富士電機 | 3.6% |
| 10 | SEMIKRON-Danfoss | 3.6% |
| 10 | Dynex Semiconductor | 3.6% |
| 10 | ハセテック | 3.6% |
| 10 | Silan Microelectronics | 3.6% |
| 10 | Cissoid | 3.6% |
| 10 | Yangzhou Yangjie Electronic Technology | 3.6% |
| 10 | 日本インターナショナルPS | 3.6% |
| 10 | WeEn Semiconductors | 3.6% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。