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IGBTモジュールとは、単数または複数の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（IGBT：Insulated Gate Bipolar Transistor）と一部の周縁部品を一体型としたもの。IGBTは、MOSFETとバイポーラトランジスタの長所を活かした、高入力インピーダンス、高速スイッチング、高耐圧で低オン抵抗のトランジスタ。モジュール化することで出力容量が格段に大きくなり、高電圧・高電流のアプリケーションに適したデバイス。
CoolSiC(TM) Hybrid Module - IGBTと組み合わせてSiCダイオードを実装したパワーモジュール
対応しているメーカ：オンセミ、infineon, フェアチャイルド、IR, ルネサス
第3世代SiC MOSFETチップと、モジュール内部をコンパクトにした立体配線構造、また高い冷却性能をもつ直接水冷構造を採用。
第7世代RC-IGBTチップと、モジュールと冷却器を一体化させた直接水冷構造の採用により、モジュールの低損失化と小型化を実現
1700V, 3300V, 4500V
(-55°C/-40°C TO 175°C)
IGBTモジュール IGBT ２in１、IGBTモジュール IGBT ６in１、IGBTモジュール PIM
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| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | インフィニオン テクノロジーズ | 30.0% |
| 2 | 富士電機 | 12.9% |
| 3 | 三菱電機 半導体・デバイス | 7.1% |
| 3 | リテルヒューズ | 7.1% |
| 5 | ミネベアパワーデバイス | 4.3% |
| 5 | PARA LIGHT | 4.3% |
| 5 | 日立エナジー | 4.3% |
| 5 | SEMIKRON-Danfoss | 4.3% |
| 5 | Silan Microelectronics | 4.3% |
| 5 | ロチェスターエレクトロニクス | 4.3% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。