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フォトダイオードとは、半導体のp-n接合による光起電力効果を利用した光検出素子。フォトダイオードのp-n接合のみでも、外部からの光で弱い光電流が流れる。一般的な使用法では、p-n接合に逆バイアスする。逆バイアスの印加により空乏層が広がり、光に反応する領域が増えて光電流が増え、より感度の高い、速い光検出が可能になる。更に応答速度を上げたものに、PINフォトダイオード、アバランシェフォトダイオードがある。
対応しているメーカ：オンセミ、Broadcom, ams OSRAM, キョウセミ、モトローラ、ルネサス、Burr Brown, フェアチャイルド、infineon
フォトダイオードアレイ(X線イメージング)
InGaAs APD-TIAレシーバー アバランシェフォトダイオードの性能を最大限に発揮するトランスインピーダンスアンプ（TIA)付きの光レシーバ―モジュール
InGaAs PD-TIAレシーバー、GaAs PD-TIAレシーバー トランスインピーダンスアンプ（TIA)付きの光レシーバ―モジュール
KP-A InGaAsアバランシェフォトダイオード、KP-A Siアバランシェフォトダイオード
InGaAsフォトダイオード、長波長InGaAsフォトダイオード、光給電コンバータ、電子冷却付InGaAsフォトダイオード、Siフォトダイオード、Siフォトダイオードアレイ、GaAsフォトダイオード、二波長フォトダイオード、GaN UVセンサー
600nmから2600nmの波長範囲の分光感度を実現。光ファイバー、光通信システム、医療診断、短波長赤外線（SWIR）イメージングなど、低暗電流、高速性が求められる用途に最適。
UV から可視光、近赤外線 (NIR) まで幅広い範囲をカバーするシリコン フォトダイオード (SiPD) 。医療診断、航空宇宙および防衛、化学分析、光電センシング、環境モニタリングなどの用途に最適。
InGaAs赤外線検出器は、1.7μmから2.6μmまでのカットオフ波長で動作するため、臨床分析装置、NIR-FTIR、ラマン分光法、光通信、通貨検証などの用途に幅広く使用可能。
InSb（アンチモン化インジウム）検出器は、液体窒素冷却型と極低温冷却型があり、1.0μmから5.5μmの波長範囲で動作。
InSb（アンチモン化インジウム）検出器は、液体窒素冷却型と極低温冷却型があり、1.0μmから5.5μmの波長範囲で動作
複数のガイガーモードAPD(アバランシェ・フォトダイオード)のピクセルから成り、常温で使用できるフォトンカウンティング・デバイス
近赤外光検出用(0.5 μm～2.6 μm)のフォトダイオード
APD (アバランシェ・フォトダイオード)は、逆バイアスを印加することにより光電流が増倍される高速・高感度のフォトダイオード。PINフォトダイオードに比べ高いS/Nが得られるため、光波距離計・空間伝送・シンチレータ光検出などで用いられる。
精密測光用、一般測光／可視光用のSiフォトダイオード
深紫外線 (DUV) および極端紫外線 (EUV) 放射の高感度検出用
赤外線検出ダイオード
APD モジュールには、アバランシェフォトダイオードを動作させるためのドライバーが含まれている。
S iアバランシェフォトダイオード 260 nmから1100 nmのスペクトル範囲
UV-SiCフォトダイオード
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | オンセミ | 8.7% |
| 2 | 浜松ホトニクス | 7.7% |
| 2 | Laser Components | 7.7% |
| 4 | Vishay | 6.7% |
| 5 | Excelitas Technologies | 5.8% |
| 5 | GPD Optoelectronics | 5.8% |
| 7 | コーデンシ | 4.8% |
| 7 | オプトランス | 4.8% |
| 7 | 日清紡マイクロデバイス | 4.8% |
| 10 | 新光電子（光センサ） | 3.8% |
| 10 | Teledyne Vision Solutions | 3.8% |
| 10 | GCS | 3.8% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。