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DRAMとは、コンピュータなどに使用される、読み書きの繰り返しが可能で、記憶保持動作（リフレッシュ）の必要な半導体メモリ素子。ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（Dynamic Random Access Memory）の略名。チップ内に形成された小さなコンデンサに蓄えた電荷により記憶内容を保持するが、放置すると電荷が放電するため、リフレッシュが必要になる。SRAMに比べて消費電力が大きく、読み書きは遅いが大容量で安価。
◆Speed option：125K(11-11-11)/DDR3－1600K、107K(13-13-13)/ DDR3-1866M、093N(14-14-14)/DDR3-2133N ◆動作温度：Commercial(0～＋95℃)、Industrial(－40～＋95℃)、Automotive(－40～＋95℃/－40～105℃/－40～＋115℃) ◆電圧：1.35V/1.5V ◆特徴：AEC-Q100準拠 /ISO26262認定取得 / 長期供給
長期供給可能な I'M Intelligent Memory社 『高容量メモリ』 ■DDR3L-1866（1.35V/1.5V） 8Gb （x8、x16） ■DDR3L-1866（1.35V/1.5V） 8Gb （x4、x8、x16）2CS ■DDR2-800 2Gb （x4、x8、x16） ■DDR2-800 2Gb（x8）2CS ■DDR1-400 1Gb（x8、x16、x32） TSOP/BGA（intECC） ■SDRAM 512Mb （x8、x16、x32） TSOP/（x32）BGA（intECC） （intECCはDRAM内にECCを付与したもので従来品と完全互換です）
1.5V DDR3 SDRAM、1.35V DDR3L SDRAM、1.5V DDR3 SDRAM Automotive、1.35V DDR3L SDRAM Automotive、1.8V DDR2 SDRAM、2.5V DDR SDRAM、3.3V SDR SDRAM、EDO and Fast Page Mode DRAM、RLDRAM(R)
PowerSaver(TM) LPDDR2 SDRAM、Mobile DDR SDRAM、Low Voltage/Mobile SDR SDRAM、CellularRAM
DDR4、DDR3、DDR2、DDR1、SDRAM、Mobile DDR1
DDR, HBM
DDR5 SDRAM, DDR4 SDRAM, DDR3 SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR SDRAM, SDRAM, RLDRAM Memory, LPDRAM
SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM
Automotive & Industrial, Standard DRAM, Low Power DRAM, KGD
DRAM, DDR SDRAM
DDR SDRAM, SDRAM, Mobile SDRAM
Async PSRAM, Burst A/D Mux PSRAM
LP SDRAM, LP DDR SDRAM
DDR4, DDR3, DDR3L, DDR2, DDR, SDRAM
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | ISSI | 12.9% |
| 2 | I'M Intelligent Memory | 11.8% |
| 3 | Micron | 10.0% |
| 4 | Winbond | 9.4% |
| 5 | SK Hynix | 8.2% |
| 6 | ラピステクノロジー | 5.9% |
| 6 | Nanya Technology | 5.9% |
| 8 | Samsung Semiconductor | 5.3% |
| 9 | Etron Technology | 4.7% |
| 10 | Alliance Memory | 4.1% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。