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NV RAM(不揮発性RAM、Non-Volatile Random Access Memory)とは、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリで書き換え可能なものの総称。このカテゴリでは、素子としての不揮発性RAMを掲載。タイプとしては、磁気抵抗RAM(MRAM)、抵抗変化型メモリ(ReRAM)、強誘電体メモリ(FeRAM、FRAM)などがある。またSRAMとバックアップ電源によるものはnvSRAMと呼ばれる。
モバイル医療機器やウェアラブル、IoTセンサー、産業機器、車載向けデータロギングに最適な不揮発性メモリ ■超低消費電力:標準的F-RAMと比べスタンバイ電流を最大70分の1に ■パラレルI/Fと同等の速度を実現した高速インターフェース 低ピン数の108MHz Quad SPI I/Fは、35nsのバーストアクセスタイム ■インスタント不揮発性 ■無制限の読み取り/書き込みサイクル耐性 ■1.8V~3.6Vの広電圧レンジ、1.71V~1.89Vの動作電圧レンジにも対応 ■10mm2の8ピンGQFNパッケージで提供
FeRAMの特長によって、メモリの設計課題を解決できます ●課題1:データバックアップのバッテリーを無くしたいが、 SRAMの代替メモリが無い ◇高速書換えのFeRAMは、SRAMの代替が可能です ●課題2:書換え回数が少ないので、設計の開発工数が増える ◇FeRAMは最大100兆回の書換え耐性を保証します ●課題3:システムの瞬断や停電時のデータ保護対策が難しい ◇高速書込みのFeRAMで書込み中のデータを保護します
Resistive Random Access Memory: 抵抗変化型メモリ
Ferroelectric RAM: 強誘電体メモリ
システムの電源が切れたときにSRAMメモリの内容を保持するのに役立つ、シャドウEEPROMバックアップを備えたスタンドアロンSRAM
ゼロパワーRAM(ZEROPOWER(R))
磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引(B to B)の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
順位 | 企業名 | クリック割合 |
---|---|---|
1 | インフィニオン テクノロジーズ | 28.8% |
2 | 富士通セミコンダクターメモリソリューション | 18.9% |
3 | アナログ・デバイセズ(マキシム・ジャパン) | 16.7% |
4 | STマイクロエレクトロニクス | 13.6% |
5 | マイクロチップ | 11.4% |
6 | Everspin Technologies | 6.8% |
7 | Teledyne e2v Semiconductors | 2.3% |
8 | AGIGA Tech | 1.5% |
※クリック割合(%)=クリック数/全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。