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NV RAM（不揮発性RAM、Non-Volatile Random Access Memory）とは、電源を供給しなくても記憶を保持するメモリで書き換え可能なものの総称。このカテゴリでは、素子としての不揮発性RAMを掲載。タイプとしては、磁気抵抗RAM（MRAM）、抵抗変化型メモリ（ReRAM）、強誘電体メモリ（FeRAM、FRAM）などがある。またSRAMとバックアップ電源によるものはnvSRAMと呼ばれる。
モバイル医療機器やウェアラブル、IoTセンサー、産業機器、車載向けデータロギングに最適な不揮発性メモリ ■超低消費電力：標準的F-RAMと比べスタンバイ電流を最大70分の1に ■パラレルI/Fと同等の速度を実現した高速インターフェース 低ピン数の108MHz Quad SPI I/Fは、35nsのバーストアクセスタイム ■インスタント不揮発性 ■無制限の読み取り/書き込みサイクル耐性 ■1.8V～3.6Vの広電圧レンジ、1.71V～1.89Vの動作電圧レンジにも対応 ■10mm2の8ピンGQFNパッケージで提供
ゼロパワーRAM（ZEROPOWER(R)）
システムの電源が切れたときにSRAMメモリの内容を保持するのに役立つ、シャドウEEPROMバックアップを備えたスタンドアロンSRAM
産業機器のコードストレージ、データロギング、バックアップ、作業用のメモリに適しており、優れた性能と不揮発性特性により、SRAM、FeRAM、nVSRAMなどに代わることができる。
磁気抵抗ランダム・アクセス・メモリ
Resistive Random Access Memory： 抵抗変化型メモリ
Ferroelectric RAM： 強誘電体メモリ
航空宇宙および防衛市場およびアプリケーション向け
【ご注意】 ここで紹介する製品・サービスは企業間取引（B to B）の対象です。 各企業とも一般個人向けには対応しておりませんのでご承知ください。
| 順位 | 企業名 | クリック割合 |
|---|---|---|
| 1 | STマイクロエレクトロニクス | 20.0% |
| 1 | インフィニオン テクノロジーズ | 20.0% |
| 3 | アナログ・デバイセズ | 18.2% |
| 4 | マイクロチップ | 12.7% |
| 5 | NetSol | 10.9% |
| 6 | Everspin Technologies | 9.1% |
| 7 | 富士通セミコンダクターメモリソリューション | 7.3% |
| 8 | Teledyne e2v Semiconductors | 1.8% |
※クリック割合(%)＝クリック数／全企業の総クリック数 このランキングは選択の参考にするもので、製品の優劣を示すものではありません。