製品情報 フォトMOSリレー　メーカー12社の製品一覧

【TLP4590A】はオン電流定格1.2Aで、当社既存製品TLP4176Aと比べて140%アップしています。また、最大動作温度定格110℃を実現。b接点が多く使われるHVAC、セキュリティシステム、ビルオートメーションシステム機器に適しています。加えて最小絶縁耐圧5000Vrmsを実現、高い絶縁性能が必要な機器に使用可能です。 ■小型パッケージ：DIP6（7.12×7.62×3.65mm）採用

TLP3106A他2製品は従来製品に比べてオン電流定格を大きくした2.54SOP6パッケージの大電流フォトリレーです。受光側に当社最新のトレンチ構造U-MOSプロセスのMOSFETチップを搭載し、従来製品に比べて低オン抵抗を実現しました。これにより、オン電流定格を約113～150%に大きくすることができ、各種DC/AC用途の1a接点メカニカルリレーの置き換えが容易となりました。メカニカルリレーよりも信頼性が向上し、リレードライバーを含めた省スペース設計に貢献します。

低トリガーLED 電流を実現した4ピンSO6パッケージのフォトリレー「TLP170AM」(阻止電圧60V)および「TLP170GM」(同350V)です。 フォトダイオードアレイの感度を上げることにより、最大トリガーLED電流1mAを実現し、入力側電力損失を低減しています。そのため、電池で駆動するセキュリティー機器や各種センサーなどのON/OFF制御する出力として使用することで、機器の低消費電力化や長期動作化に貢献します。さらに、最小絶縁耐圧3750V_rmsを実現しています。

TLP3407SRA、TLP3475SRHA、TLP3412SRHAは最大動作温度定格125℃へ拡張した業界最小実装面積の電圧駆動型フォトリレーです。温度が高いエリアの実装、機器の温度設計マージンを確保しやくなります。S-VSON4Tパッケージ採用により、実装基板の省スペース化や、フォトリレーの搭載数増加ができます。これにより、半導体テスターやプローブカードなどへのフォトリレーの集積密度向上に貢献します。

新パッケージP-SON4は、実装面積7.2mm²(typ.)で、従来パッケージ　2.54SOP4パッケージと比べて約74%、2.54SOP6パッケージと比べて約84%小型化しました。これにより高密度実装に貢献できます。また、受光側に当社最新のMOSFETチップを使用することで、低オン抵抗化を実現しました。30V/4.5Aから100V/2AのTLP348xシリーズ３製品です。

DIP4パッケージ：TLP3556A、TLP3558A、TLP241A DIP6パッケージ：TLP3543A、TLP3545A、TLP3546A DIP8パッケージ：TLP3547、TLP3548、TLP3549。 米国安全規格UL 508認定を取得した産業用制御機器向けフォトリレー。 ■UL 1577認定製品 ■ケース温度 (Max): T_c=105℃

[1] 500品番以上の様々な用途で豊富な実績を持つ豊富な品種構成 [2] 最小実装面積のVSSOPから最大10Aまで制御可能なSILまで、パッケージ 種類も豊富 [3] 4a出力のSOP16pinなど、省スペースと工数削減に貢献する商品バリエーションもご用意 ■ 無料ダウンロード 　今さら聞けない半導体リレーの基礎知識や、設計の際の実務的な疑問にお答えする「PhotoMOSリレーオリジナルレシピ」公開中