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化学的物理的に安定したGlass Passivationを使用。耐湿性、耐熱性に優れた構造。耐圧 MAX800V、出力電流 1A～25A。
PN接合より順方向の立ち上がり電圧が低く、スイッチング速度が極めて速く、高速低VFダイオードとして最適な整流素子。
EETMOSシリーズ ( Nchシングル / VDSS 40〜150V )、Hi-PotMOSシリーズ （Nchシングル / VDSS 280〜600V ）
規定の電圧を加えることで通電する半導体素子。スイッチ素子やパルス発生素子として利用されている。
サイリスタ型半導体素子
パワーツェナーダイオードとFRDを複合
耐圧：MAX1600V、順電圧：1.05V、出力電流：0.4A～50A。高耐圧、高IFSM、低ノイズ製品もある。
逆回復特性が向上した高耐圧のPN接合型高速整流素子
ブートストラップ方式を用いてNch MOSFETやIBGTを駆動させることが可能な600V耐圧のハイサイド/ローサイドのゲートドライバ
LED照明用電流臨界制御IC、リニア調光・PWM調光が可能で、オフ時間変調機能により1%以下の滑らかな深調光
モータ・ヒータ制御に最適。VDRM = 600〜800V、IT(RMS) = 3〜20Aまでラインナップ。
一般的なサイリスタの他に逆耐圧レス構造の突入電流防止回路向け製品をラインナップ
３相インバータ用など
LLC電流共振回路はスイッチング損失が少なくサージ電流・電圧の発生しにくい回路構成となり、高効率・低ノイズな電源を構成できる
MRシリーズに比べ待機時の入力電力を大幅に削減することができる機能を持った制御IC
多段インターリーブを可能にした PFC回路用制御IC
逆接続保護・逆電流防止機能を内蔵した理想ダイオードIC