日本最大の電子・産業部品ポータルサイト indexPro
indexPro のご利用にあたって
2022年4月より、利用規約を制定しています。詳細は indexPro 利用規約 をご確認ください。
また本ウェブサイトでは、利用者の個人情報について法令およびその他の規範を遵守し利用者の個人情報の保護に努めております。
利用にあたりIPアドレス、またはセッションIDを取得することがありますが、これらは匿名化した上で統計利用しています。
詳細につきましてはこちらをご覧頂ください。
精密測光用、一般測光／可視光用のSiフォトダイオード
距離計測用フォトIC、フロントエンドIC付光センサ、シュミットトリガ回路フォトIC、光変調型フォトIC、光リンク用フォトIC、エンコーダ用フォトIC、光電スイッチ用フォトIC、レーザビーム同期検出用フォトIC、フレームアイ用フォトICダイオードアセンブリ
2.6 μmまでの近赤外域における理化学計測・産業計測・DWDMに利用される。
カメラ用、科学計測用、ICP分光分析用、CCDエリアイメージセンサ
近赤外LED (830～945 nm)、近赤外LED (1200～1550 nm)、中赤外LED (3300～4300 nm)
量子カスケードレーザ（QCL: Quantum Cascade Laser) は中赤外（4 μm ～ 10 μm）に発振波長をもつ半導体レーザ
高コントラストな映像増強管。暗視(監視)用、科学技術研究にも使用
X線非破壊検査用の微小焦点X線源
分析機器用重水素ランプに要求される寿命・安定性・高出力を満たす新世代の重水素ランプ
瞬間的に高いピーク出力を有するパルス点灯光源。紫外域から赤外域までの連続スペクトルにより、分析からイメージングまで幅広い用途に応用
輝度・色温度が高く、紫外～可視～赤外にわたって連続スペクトルを放射するため、分光光度計など各種測光用光源として極めて理想的なランプ
原子吸光分析に用いられている金属蒸気放電光源
CMOSカメラ、CCDカメラ、EM-CCDカメラ、InGaAsカメラ、TDI（Time Delay Integration）、qCMOS™カメラ
APD (アバランシェ・フォトダイオード)は、逆バイアスを印加することにより光電流が増倍される高速・高感度のフォトダイオード。PINフォトダイオードに比べ高いS/Nが得られるため、光波距離計・空間伝送・シンチレータ光検出などで用いられる。
クリーンなイオン生成方式「Photoionization（光電離）」を利用した静電気除去装置。
UV接着やインキの乾燥などに応用されているUV-LED光源。用途に合わせて照射強度や照射方式、冷却方式や形状を選択できる。
小型パッケージに高出力LDを内蔵したファイバ出力型レーザダイオード
近赤外光検出用(0.5 μm～2.6 μm)のフォトダイオード
複数のガイガーモードAPD(アバランシェ・フォトダイオード)のピクセルから成り、常温で使用できるフォトンカウンティング・デバイス
単色カラーセンサ、RGBカラーセンサ、カラーセンサモジュール
フォトダイオードの表面抵抗を利用したスポット光の位置センサ
X線手荷物検査、非破壊検査装置、各種X線イメージング用のイメージセンサ
近赤外 (NIR)、短波赤外 (SWIR)域用の2次元イメージセンサ
サーモパイルにバンドパスフィルタを付けることにより、さまざまなガスの濃度を計測することが可能。
金属の光電効果とガス増倍効果を利用した紫外線センサ
極微小なピンホールを高速かつ高精度に検出
基本構成に、信号処理回路、インターフェース、冷却など機能を付加した様々なモジュールがある。電流出力型、電圧出力型、フォトンカウンティングヘッド、近赤外光電子増倍管ユニット、特殊用途向け・周辺機器
真空紫外光を利用した静電気除去装置。従来困難であった真空中での効率の良い除電が可能とした。
表面改質やドライ洗浄をはじめ、酸化分解やTOC測定・VOC分解などに貢献するエキシマランプ光源
LDの高輝度とLEDの低コヒーレンス性を合わせ持ちた高輝度光源
高いピーク出力を特長とするLD。レーザレーダのような距離計測やセキュリティ等の監視用としてご使用できる。
連続発振タイプのレーザダイオード。Cマウントから小型パッケージまで各用途に対応。
LDバーを積層(スタック化)することで、キロワットクラスへの高出力化が可能
視感度に近い分光感度特性のフォトICダイオード
3～5 μmの大気の窓の範囲で高感度、低ノイズ、高速応答の光起電力素子。
波長5 μm帯・8 μm帯・10 μm帯で高感度の検出素子。変化の速い温度計測、赤外線計測等を可能にする。
分光測光、産業機器、科学計測に適した1次元のイメージセンサ
射影データの取得に特化した高性能CMOSエリアセンサ。通常のエリアセンサに比べスポット光の高速な位置検出、動体検出が可能。
4ヘッド独立駆動のスポット照射型UV-LED光源。手のひらサイズのコンパクト設計により、僅かなスペースへの設置など自由自在な設計が可能。
半導体デバイス内部の故障に起因する微弱な発光・発熱等を検出しその位置を特定するシステム
カメラ：qCMOSカメラ、CMOSカメラ、CCDカメラ、EM-CCDカメラ、InGaAsカメラ、TDIカメラ（Time Delay Integration）
ボードカメラ：ボード型CMOSカメラ、ボード型TDIカメラ
X線カメラ：X線ラインセンサカメラ、X線TDIカメラ、X線CMOSカメラ、X線イメージインテンシファイア（X線I.I.）とCMOSイメージセンサで構成されたX線I.I.カメラユニット、及びX線イメージインテンシファイア
エッチング、スパッタ、CVD等のプロセス中のプラズマ発光をリアルタイムでモニタするシステム
X線イメージング用フラットパネルデバイス。医用分野・産業分野のX線検査用途
MEMS技術とイメージセンサ技術を用いて実現した超小型センサとモジュール
マイクロPMTをパッケージした小型・軽量な光電子増倍管
オプティカルブロック、スキャンブロック、FOP（ファイバオプティクプレート）、FACレンズ、キャピラリプレート、フローセル、合成石英ビューイングポート、LCOS-SLM（空間光位相変調器）、X線結像・集光素子、イメージスプリッティング光学系、MEMSミラー
UV-LED光源（リニア照射）：UV接着、UVコーティング、UV印刷
UV-LED光源（スポット照射）：365 nm、385 nm、405 nmのUV-LEDを搭載した光源
TOF方式で対象物までの距離を測定するセンサ
950 nm～1700 nmの近赤外波長領域に高い感度を持つInGaAs（インジウム・ガリウム・ヒ素）センサを搭載したカメラ
ボード型CMOSカメラ、ボード型TDIカメラ
X線検出用のCCD／CMOS／NMOSのライン・エリアイメージセンサ
高安定な軟X線源と駆動用電源を内蔵したモジュール
近赤外LED (830～945 nm)、近赤外LED (1200～1550 nm)、中赤外LED (3300～4300 nm)
MEMS技術を応用した電磁駆動式のミラー