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移動通信システム基地局用 GaN HEMT, 衛星通信（SATCOM）地球局用GaN HEMT・MMIC
400～1600V/20～400Aをラインアップ
パルストランスやフォトカプラを用いたパワーMOSFETやIGBTのゲート駆動に代わり、マイコンなどの入力信号で直接ゲートを駆動する高耐圧IC
トレンチゲート構造MOSFETを搭載、ゲート・ソース信号配線にコネクタ端子を採用、温度センサー内蔵
400～1600V/20～400Aをラインアップ
一般整流用ダイオードモジュール、ACスイッチ用ダイオードモジュール、高速スイッチング用ダイオードモジュール（トランジスタモジュール用及びIGBT/IPM用に対応）などをラインアップ
プロジェクター用光デバイス、光ファイバー通信用光デバイス
3.6V/7.2V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FET（ディスクリート）、7.2V/9.6V/12.5V動作 RF 高出力 MOS FETモジュール