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SOD-123W、SOD-128、Thin SMA、Micro SMA パッケージで提供される、車載グレードの新しいトレンチ・ショットキ製品ポートフォリオをご紹介します。本製品ファミリーは、自動車用途に求められる厳しい品質および信頼性要求に対応するよう設計されており、最大ジャンクション温度 175℃をサポートするとともに、極めて低いリーク電流特性を実現します。 本ポートフォリオは、45V~120V の耐圧範囲および 1A~5A の順方向電流定格をカバーし、すべて AEC-Q101 に準拠しています。
TESDA24VB6P02CX は、CAN Bus FD(CAN with Flexible Data-Rate)向けに設計されており、車載および産業機器で一般的に発生する静電気放電(ESD)、サージパルス、電磁干渉、高速な過渡的ノイズから差動通信ラインを保護します。 超低容量と高いサージ耐性を兼ね備えた TESDA24VB6P02CX は、ロードダンプ、誘導性スイッチング、ESD などの過酷な車載環境下においても、CAN-FD 通信をクリーンかつ安定して実現します。
パワーエレクトロニクスシステム向けに新しい1200V低損失ダイオードを発表しました。電流定格は15Aから60Aで、ThinDPAK、D2PAK-D、TO-247BDパッケージを準備しています。低い順方向電圧はDC伝導損失を低減し、高い電力効率を実現します。 これらダイオードは、要求の厳しい高温動作向けに設計されており、最大ジャンクション温度175℃を実現します。この卓越した熱性能は低い伝導損失にて、EV充電やサーバー電源などの高密度アプリケーションにおける信頼性強化とヒートシンク要件の最小化に最適です。
スナップバック特性を持つSUPER CLAMPシリーズTVSダイオードは、指定された降伏電圧とクランプ電圧との間において優れたクランプ比を特長としています。また、-55℃から175℃までの幅広い動作温度範囲は、車載アプリケーションの要求に対応します。この最適化されたクランプ比により、従来のTVSダイオードと比較して、はるかに高いピークパルス電流において回路を保護し、より低いクランプ電圧を提供します。
ESD 保護および TVS 保護デバイスは、過渡現象、サージ、および ESD イベントの発生から保護を必要とする対象物を保護するための規制遵守に関する世界的な要件を満たすように設計されています。小型パッケージから中・大型パッケージにより多くの製品を提供しております。
業界標準パッケージの低電圧・中電圧・高電圧デバイスを幅広く取り揃えており、導通損失を低減すべく低RDS(on)を実現し、同時にスイッチング損失の低減も図るべく低Qgを実現した魅力的な FOM特性(性能指数=RDS(on)xQg)を提供しております。
高周波スイッチングに最適化された次世代PerFETTM 80Vおよび100VパワーMOSFET。これらデバイスは、通信およびサーバー電源における同期整流、ならびに太陽光インバータ、電動工具、DC-DCブリックコンバータ、電源アダプタなどの産業用アプリケーションに最適です。 小型PDFN56Uパッケージに収められた本MOSFETは、基板と端子のはんだ接合部の信頼性を向上させ、自動光学検査 (AOI) の精度を高めるウェッタブルフランク端子構造を特長とし、各アプリケーションで最適なソリューションを柔軟に選択できます。
本1200V SiCショットキーダイオードは、MPS (Merged PIN Schottky) 構造を特長とし、高い順方向サージ電流耐量、低い順方向電圧降下、低リーク電流、および低静電容量により優れた性能を有しています。これらの特性は、高周波および高電圧アプリケーションにおける効率と堅牢性の向上に貢献します。 全デバイスはAEC-Q101認定済みで、最大ジャンクション温度175℃に対応し、EV急速充電、蓄電装置、産業用及び通信電源などの要求の厳しい環境で高い信頼性と熱安定性を確保します。
標準整流ダイオード、ショットキーダイオード、高速回復整流ダイオードなど、対象アプリケーションにおけるAC損失とDC損失の低減に寄与する小信号パッケージから電力用パッケージディスクリート整流ダイオードを幅広く提供しております。これらのデバイスは全て、業界標準のパッケージにて提供されています。
新しい150Vおよび200VトレンチショットキーダイオードをTO-277A (SMPC4.6U) パッケージで提供します。これらのダイオードは、0.78Vからの低い順方向電圧と3Aから15Aまでの順方向電流を特長とし、AEC-Q101認証を取得しています。 これらダイオードは、SMPS(スイッチング電源)の二次側整流、昇圧PFC回路、車載および通信システムにおけるフリーホイーリングダイオード、極性保護などのアプリケーションに最適です。
General Purpose and Low VCE(sat) Transistor